如果說2018年最受關(guān)注的晶圓制造廠，無疑是臺積電，作為7nm工藝技術(shù)的集大成者，臺積電在這方面領(lǐng)先于英特爾和三星。盡管臺積電站在“7nm”的風(fēng)口，但是近日它們遭遇了很多困難，包括臺積電由于7nm制程產(chǎn)能爆滿，AMD推遲了自己的顯卡發(fā)布日期;臺積電多次出現(xiàn)晶圓污染事故，直接損失數(shù)億美元;正是發(fā)生了光阻原料事件，臺積電第一季度營收預(yù)期偏低，影響了資本市場對它的預(yù)估……

　　臺積電百億現(xiàn)金突出重圍

　　盡管臺積電面臨困境，但臺積電不怕!眾所周知，很多的芯片廠商都在積極推動7nm制程工藝的發(fā)展，2019年也將有很多的7nm芯片發(fā)布，它們大都是臺積電的客戶，臺積電目前是全球7nm芯片訂單最多的廠商。近日，臺積電透露，他們將拿出471.4億元新臺幣(約合103.37億元人民幣)，作為該公司臺灣地區(qū)員工的現(xiàn)金獎勵與分紅。

　　進擊中的臺積電

　　據(jù)了解，芯片代工行業(yè)規(guī)模每年達到393億美元，臺積電是其中領(lǐng)先的公司，每銷售一部智能手機其可獲得7美元。臺積電對于工藝的不斷追求，推動了芯片行業(yè)的快速發(fā)展。

　　2018年是臺積電7nm快速發(fā)展的關(guān)鍵一年，因為它們?nèi)〉昧撕芏嗫上驳某煽儭?018年4月，臺積電的7nm工藝投入量產(chǎn)，包括麒麟980、AMD和蘋果A12等新型處理器都由臺積電代工，在2018年10月臺積電又完成了7nm EUV流片。

　　更高的工藝意味著芯片更高的性價比，與10nm節(jié)點相比，7LPP工藝可以減少40%的面積同時提高20%的速度，或降低50%的功耗。根據(jù)臺積電的數(shù)據(jù)，2018年臺積電7nm工藝完成流片的芯片設(shè)計超過50款，預(yù)計2019年底將超過100款。不只是7nm，據(jù)悉，臺積電的的5nm制程將會在2019年年底或2020年初投入量產(chǎn)。

　　對手也在加速追趕

　　2018年，三星宣布試產(chǎn)基于EUV技術(shù)的7nm芯片，并正在研究如何提升其產(chǎn)能，加速輔助性的IP和EDA基礎(chǔ)架構(gòu)，細化封裝能力。三星的這次宣布無疑是在對標臺積電，為了追趕臺積電芯片設(shè)計生態(tài)的進程，后者于本月初曾傳出過類似的消息。三星聲稱他們正在對基于16Gbit DRAM芯片的256GByte RDIMM取樣，為帶Xilinx嵌入式FPGA的固態(tài)硬盤做好準備。7nm是這次通告的亮點，標志著EUV掩模檢測系統(tǒng)內(nèi)部開發(fā)的一次里程碑式的進展。

　　為了加速EUV投入到生產(chǎn)，三星開發(fā)了自己的系統(tǒng)來比較和修復(fù)預(yù)期和實際的掩模曝光。VLSI研究員G. Dan Hutcheson將這個系統(tǒng)描述成一個掩模檢查系統(tǒng)，因為目前尚不清楚它是否像典型的第三方檢測系統(tǒng)那樣自動化。7nm節(jié)點將在年底達到Grade 1 AEC-Q100汽車標準。在封裝方面，三星正在研發(fā)一款RDL插入器，能將多達8個HBM堆疊安裝在一個設(shè)備上，同時，三星還在開發(fā)一種將無源器件嵌入基板的工藝，為了給數(shù)據(jù)中心的芯片節(jié)省出空間。

　　競爭催生出最強的臺積電

　　都知道未來7nm工藝會有很大發(fā)揮空間，但是目前的生產(chǎn)難度還是很高的，除了光刻機和其它良率問題，成本控制也很難，還有晶圓污染……這些難題等待臺積電去解決。雖然目前全球僅幾家有實力和臺積電競爭7nm，但是它們的追趕也推動了臺積電的努力和創(chuàng)新，相信隨著客戶的增加，臺積電也能將這些問題逐一解決，成為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。