SK海力士：DDR5內(nèi)存2020年推出，起步5200MHz
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編者按：近日，SK海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時(shí)表示，準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內(nèi)存也開(kāi)始策劃了，將在5~6年內(nèi)研發(fā)。
近日，SK海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時(shí)表示，準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內(nèi)存也開(kāi)始策劃了，將在5~6年內(nèi)研發(fā)。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/201901/397340.htm在2018年末，SK海力士宣布完成首款DDR5RAM芯片，該內(nèi)存的速度為5200MT/s，電壓為1.1V，比上一代產(chǎn)品快60%。到2022年，海力士還將會(huì)推出DDR6-6400版本。
據(jù)介紹，SK海力士DRAM設(shè)計(jì)研究員在與韓國(guó)先驅(qū)報(bào)談?wù)摃r(shí)表示第六代DDR內(nèi)存將能夠達(dá)到DDR6-12000的數(shù)據(jù)傳輸性能，并預(yù)測(cè)DDR6將在五六年內(nèi)開(kāi)發(fā)。他還表示海力士正在討論“后DDR5”產(chǎn)品的幾個(gè)設(shè)計(jì)方案，其中一個(gè)是延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范，另一個(gè)方案則是將DRAM和SOC處理技術(shù)相結(jié)合。
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