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            從ISSCC 2019看電源、模擬、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、前瞻領(lǐng)域的技術(shù)動(dòng)向

            作者:王瑩 時(shí)間:2018-12-27 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

                  2電路的趨勢(shì)

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201812/396093.htm

              2.1電路的論文接受情況

              澳門大學(xué)的羅文基教授介紹道,電路方面文章主要有兩組,第一組是傳感器接口,遠(yuǎn)東區(qū)有1篇入選,歐洲3篇。第二組是模擬技術(shù),主要關(guān)注傳統(tǒng)模擬電路技術(shù),其中有2篇文章來自遠(yuǎn)東,3篇北美,2篇?dú)W洲。模擬方面還有1個(gè)教程(tutorial),是關(guān)于電流感測(cè)(currentsensing)技術(shù)的。

              會(huì)上總共介紹了十余篇論文,其中有4篇來自遠(yuǎn)東,8篇北美,4篇?dú)W洲。遠(yuǎn)東區(qū)中,有2篇來自中國臺(tái)灣,1篇是韓國,一篇是日本的。

              2.2傳感器接口

              2.2.1CMOS溫度傳感器。

               基于電阻式CMOS溫度傳感器方面,如圖2所示,從2014年到2019年,電阻式CMOS傳感器在resolutionFOM(分辨率函數(shù))方面逐年變好。在最近幾年,BJT(雙極結(jié)型晶體管)已經(jīng)被電阻式CMOS超越。還有最重要的一點(diǎn),是本次有第一篇基于電阻式CMOS的技術(shù),能做到小于0.4℃的溫差,且只用一個(gè)校準(zhǔn)點(diǎn),這方面過去是BJT擅長做的,而且比傳統(tǒng)的基于BJT的效果還好。

              2.2.2晶振功耗。IoT設(shè)備需要快速啟動(dòng),通常要放大信號(hào),才能令啟動(dòng)加快。但這限制了放大器的帶寬,致使功耗效率降低。本次會(huì)議中有一篇用了I/Q調(diào)制原理,只需要DC放大(amplification)。相對(duì)地,放大器帶寬就可做得很小,使功耗可以降得很低。

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              圖3是最近幾年晶振的降低情況,可見在各種學(xué)術(shù)會(huì)議中,ISSCC2019所發(fā)表的功耗指標(biāo)是最低的。

              有兩部分的文章。第一部分是傳感器接口,如圖4,有2篇論文。第一篇來自ADI公司,主要做EMF(Energy measurement frontend,能量量測(cè)前端),通過使用準(zhǔn)確的片內(nèi)電流和電壓基準(zhǔn)子系統(tǒng),使用insitu Back ground calibration技術(shù)實(shí)時(shí)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行校正,從而使系統(tǒng)能連續(xù)工作,同時(shí)又能保證良好的精準(zhǔn)度。另外一篇文章是關(guān)于MEMS加速度計(jì)的,東芝發(fā)表的。亮點(diǎn)是性能指標(biāo)很高:能做到11倍FoM(品質(zhì)因子)的提升,還有9倍的噪聲降低。



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