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            引起的較高時(shí)鐘頻率仿真失敗原因

            作者: 時(shí)間:2018-08-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            通常如果你的設(shè)計(jì)在較低時(shí)通過了仿真,但是在較高時(shí)卻失敗了,你的第一個(gè)問題應(yīng)該是你的設(shè)計(jì)在某個(gè)較高時(shí)是否達(dá)到了時(shí)序約束的要求。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201808/385552.htm

            然而這里我們將舉這樣一個(gè)例子,就是對(duì)于某個(gè)較高時(shí)鐘頻率你已經(jīng)檢查了靜態(tài)時(shí)序分析(STA),而且時(shí)序約束也是正確的。

            這種情況是什么引起的較高時(shí)鐘頻率仿真失敗呢?

            可能的原因就是仿真方式、設(shè)計(jì)本身或者testbench設(shè)置方式有問題。

            然而在較低時(shí)鐘頻率通過了仿真這個(gè)事實(shí)就排除了設(shè)計(jì)/testbench/仿真在設(shè)置上的問題。

            排除了上面兩項(xiàng),下一個(gè)可能就是脈沖拒絕(reject)或者脈沖錯(cuò)誤。

            “脈沖拒絕(reject)”和“脈沖錯(cuò)誤”是Verilog仿真中的概念。

            這些概念說的是脈沖的持續(xù)時(shí)間小于某個(gè)值(pulse_r)就不會(huì)通過某個(gè)電路元件。

            當(dāng)然脈沖持續(xù)時(shí)間大于pulse_r,但是如果小于另一個(gè)值pulse_e盡管會(huì)通過,但是在仿真中顯示的是“x”。

            這個(gè)持續(xù)時(shí)間是以通過某元器件延遲的百分比來表示的。

            比如通過某元件的延遲是1ns。

            0.5ns的脈沖表示為50%的持續(xù)時(shí)間。

            現(xiàn)在假設(shè)設(shè)計(jì)采用的頻率是200MHz。

            對(duì)應(yīng)的周期就是5ns。

            那么一半就是2.5ns。

            在仿真中時(shí)鐘每隔2.5ns變化一次,也就是時(shí)鐘脈沖的寬度是2.5ns。

            讓我們假設(shè)內(nèi)部時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)某一脈沖寬度是2.8ns(也就是大于2.5ns)。

            分析結(jié)果,pulse-duraTIon(脈沖持續(xù)時(shí)間)《100%。

            這個(gè)脈沖可能就會(huì)被“拒絕(rejected)”,也就是說盡管時(shí)鐘信號(hào)能夠到達(dá)某個(gè)具體網(wǎng)絡(luò)的輸入端,但是卻不能從這個(gè)網(wǎng)絡(luò)輸出。

            因此盡管STA分析顯示200MHz很合適,但是仿真卻不能通過。

            設(shè)計(jì)其他模塊將不能獲得時(shí)鐘脈沖。

            解決這個(gè)仿真問題的方法是在仿真設(shè)置中修改脈沖拒絕和錯(cuò)誤(reject/error)限制。

            例如在ModelSim中我們可以設(shè)置:

            +transport_path_delays +transport_int_delays +pulse_r/0 +pulse_e/0

            后續(xù)操作還有:

            1.將pulse-rejecTIon限制修改為0。(不會(huì)拒絕任何一個(gè)脈沖)

            2.將pulse-error限制修改為0。(脈沖寬度低于某個(gè)值時(shí)不會(huì)顯示輸出為“x”)

            同時(shí)要將interconnect延遲模式修改為transport,其實(shí)是修改了脈沖濾波選項(xiàng)。

            最后的問題是我們做這么多的修改就是為了能通過仿真測(cè)試嗎?

            在真正的硅片中的實(shí)際情況是怎樣的?

            在硅片中大部分內(nèi)部互連線在每隔幾皮秒后就會(huì)設(shè)置一個(gè)repeater(中繼器)。

            因此幾納秒的脈沖會(huì)順利通過(合適的延遲),這不會(huì)存在問題。

            具體出現(xiàn)問題的情形可能是這樣的:

            1.頻率增加(脈沖寬度更小了)

            2.器件尺寸增加(某個(gè)路徑的內(nèi)部延遲可能變大了,導(dǎo)致內(nèi)部延遲時(shí)間大于脈沖達(dá)到的傳輸時(shí)間)

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