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      Altium Designer學(xué)習(xí)―如何進(jìn)行SI仿真

      作者: 時(shí)間:2018-08-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

      Altium designer 如何進(jìn)行SI仿真。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201808/385381.htm

      1、仿真電路中需要至少一塊集成電路;

      2、器件的IBIS模型;

      3、在規(guī)則中必須設(shè)定電源網(wǎng)絡(luò)和地網(wǎng)絡(luò);

      4、建立SI規(guī)則約束;

      5、層堆棧必須設(shè)置正確,電源平面必須連續(xù);

      建立的文件必須是一個(gè)工程,并把相應(yīng)的文件放在工程目錄下,建立原理圖設(shè)計(jì),建立PCB設(shè)計(jì)。搭建相應(yīng)的IBIS模型,設(shè)定電源和地的規(guī)則,建立SI規(guī)則約束,并將層堆棧設(shè)置正確,電源平面連續(xù)。

      對于SI仿真,可以是原理圖仿真,可以是PCB仿真,

      下面就實(shí)際操作一下如何利用Altium來實(shí)現(xiàn)對集成電路的SI仿真工作。首先要打開一塊單板,單板可以是系統(tǒng)自帶的,也可以是自行設(shè)計(jì)的。筆者打開一個(gè)自行設(shè)計(jì)的單板如下所示:

      (1)首先設(shè)置好層疊設(shè)置,選擇Impedance Calculation…,配置板材的相應(yīng)參數(shù),這里選擇默認(rèn)值,如下所示:


      當(dāng)遇到個(gè)別原理圖元器件符號并未放置在PCB版圖設(shè)計(jì),用戶可以利用Altium Designer提供的器件關(guān)聯(lián)功能,即菜單Project -> Component Links命令;在PCB版圖設(shè)計(jì)SI分析中,未布線的網(wǎng)絡(luò)將采用曼哈頓(Manhattan)長度算法計(jì)算引腳間的傳輸線長度。

      (2)設(shè)置信號的激勵(lì),如下圖所示:


      (3)設(shè)置電源和地網(wǎng)絡(luò)

      (4)進(jìn)入到仿真界面,tools —-signal integrity,如下圖所示:


      打開模型信號完整性配置界面后,有幾種狀態(tài)需要了解,如上圖所示。

      點(diǎn)擊Analyze Design…,彈出下圖


      點(diǎn)擊Analyze Design…,出現(xiàn)如下圖所示:


      可以選擇一個(gè)網(wǎng)絡(luò),點(diǎn)擊右鍵—detail查看詳細(xì)的信息。


      下圖對一個(gè)信號進(jìn)行反射和串?dāng)_分析

      反射分析

      比如選擇SD_CLK,點(diǎn)擊>按鈕,然后點(diǎn)擊右下方的reflection按鈕,進(jìn)行反射分析,右側(cè)方框內(nèi)部可以對發(fā)生反射的信號進(jìn)行阻抗匹配,包括串行,上拉電阻,下拉電阻,戴維南以及阻容和二極管匹配等,如下所示:



      對于信號若是會(huì)發(fā)生反射,可以選擇串接電阻,在掃描步數(shù)可以設(shè)置,這里保持默認(rèn),如下圖所示:


      再次進(jìn)行反射計(jì)算,如下圖所示,會(huì)列出以步數(shù)為10的所有情況,選擇合適的阻值,串接在PCB板上即可。


      串?dāng)_分析:

      在SD_CLK信號上右鍵選擇Set Aggressor設(shè)置干擾源,如下圖所示,然后點(diǎn)擊crosstalk得到下圖的串?dāng)_分析



      根據(jù)上述的結(jié)果可以對可能會(huì)產(chǎn)生串?dāng)_的情況進(jìn)行重新布局改進(jìn)。理想的布局結(jié)構(gòu)如下圖所示:


      高速信號的布線規(guī)則:

      3w原則

      這里3W是線與線之間的距離保持3倍線寬。是為了減少線間串?dāng)_,應(yīng)保證線間距足夠大,如果線中心距不少于3倍線寬時(shí),則可保持70%的線間電場不互相干擾,稱為3W規(guī)則。如要達(dá)到98%的電場不互相干擾,可使用10W規(guī)則。

      20H原則

      這里的H指的介質(zhì)厚度,H即電源和地之間的介質(zhì)厚度。是指電源層相對地層內(nèi)縮20H的距離,是為抑制邊緣輻射效應(yīng)。在板的邊緣會(huì)向外輻射電磁干擾。將電源層內(nèi)縮,使得電場只在接地層的范圍內(nèi)傳導(dǎo)。有效的提高了EMC。若內(nèi)縮20H則可以將70%的電場限制在接地邊沿內(nèi);內(nèi)縮100H則可以將98%的電場限制在內(nèi)。

      對高頻信號回流的理解不能有一個(gè)思維定勢,認(rèn)為回流必須完全存在于信號走線正下方的參考平面上。事實(shí)上,信號回流的途徑是多方面的:參考平面,相鄰的走線,介質(zhì),甚至空氣都可能成為它選擇的通道,究竟哪個(gè)占主要地位歸根結(jié)底看它們和信號走線的耦合程度,耦合最強(qiáng)的將為信號提供最主要的回流途徑。比如在多層PCB設(shè)計(jì)中,參考平面離信號層很近,耦合了絕大部分的電磁場,99%以上的信號能量將集中在最近的參考平面回流,由于信號和地回流之間的環(huán)路面積很小,所以產(chǎn)生的EMI也很低。

      避免信號線跨越地平面分割壕溝和接插件。板子的空余地方,盡可能大面積敷銅。而且要保持與地平面低阻抗良好連接。



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