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      EEPW首頁(yè) > 工控自動(dòng)化 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于40 nm CMOS工藝的高速SAR ADC的設(shè)計(jì)

      基于40 nm CMOS工藝的高速SAR ADC的設(shè)計(jì)

      作者:魏祎 時(shí)間:2018-02-27 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏
      編者按:基于40 nm CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一種高速逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器。本設(shè)計(jì)采用了非二進(jìn)制冗余DAC技術(shù)來(lái)緩解ADC對(duì)建立時(shí)間和建立精度的要求,來(lái)提高ADC量化的準(zhǔn)確性;采用帶有預(yù)放大級(jí)的高速比較器來(lái)提高比較器的精度,同時(shí)減小后級(jí)Latch的回踢噪聲,采用了兩級(jí)Latch來(lái)進(jìn)一步提高比較器的速度;采用基于鎖存器的鎖存單元來(lái)提高SAR邏輯控制電路的速度,并且采用了異步時(shí)序控制,不需要外部時(shí)鐘,有利于提高SAR ADC的速度,并降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。設(shè)計(jì)的SAR ADC在160 MHz的采樣頻率下,在不同輸入信號(hào)頻

      作者 魏祎 電子科技大學(xué) 微電子與固體電子學(xué)院(四川 成都 610054)

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201802/376171.htm

        魏祎(1993-),男,碩士生,研究方向:大規(guī)模集成電路與系統(tǒng)。

      摘要:基于40 nm CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一種高速。本設(shè)計(jì)采用了冗余DAC技術(shù)來(lái)緩解ADC對(duì)建立時(shí)間和建立精度的要求,來(lái)提高ADC量化的準(zhǔn)確性;采用帶有預(yù)放大級(jí)的高速比較器來(lái)提高比較器的精度,同時(shí)減小后級(jí)Latch的回踢噪聲,采用了兩級(jí)Latch來(lái)進(jìn)一步提高比較器的速度;采用基于鎖存器的鎖存單元來(lái)提高SAR邏輯控制電路的速度,并且采用了異步時(shí)序控制,不需要外部時(shí)鐘,有利于提高SAR ADC的速度,并降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。設(shè)計(jì)的SAR ADC在160 MHz的采樣頻率下,在不同輸入信號(hào)頻率下均可以實(shí)現(xiàn)12 bit的量化精度,SFDR均在83 dB以上。

      0 引言

        隨著智能設(shè)備的普及和通信技術(shù)的不斷發(fā)展,消費(fèi)者對(duì)智能互聯(lián)的需求變得越來(lái)越迫切。這就要求通信網(wǎng)絡(luò)要有更快的數(shù)據(jù)速率。而更高的數(shù)據(jù)傳輸速率就要求更大的帶寬。因此通訊接收機(jī)就需要更快的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器,將模擬的無(wú)線通信信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),供DSP芯片進(jìn)行處理。(Analog-to-Digital Converter,ADC)作為連接模擬系統(tǒng)和數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)的橋梁起著關(guān)鍵的作用。

        在同樣精度與速度要求下,與快閃型、折疊內(nèi)插型、流水線型等ADC相比,SAR ADC結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功耗低、易于集成等特點(diǎn),因此得到了廣泛的應(yīng)用[1-2]。

        常見(jiàn)的SAR ADC主要由自舉采樣開(kāi)關(guān)、DAC、比較器和SAR邏輯電路組成,其基本架構(gòu)如圖1所示。其中DAC主要采用電容陣列構(gòu)成的CDAC。一個(gè)N位的SAR ADC的工作原理是采用二進(jìn)制搜索算法確定輸入信號(hào)所在的量化區(qū)間。首先,輸入信號(hào)通過(guò)采樣開(kāi)關(guān)存儲(chǔ)在DAC中;然后通過(guò)比較器對(duì)輸入信號(hào)和DAC產(chǎn)生的參考電壓進(jìn)行比較,將比較結(jié)果輸出到SAR邏輯電路,SAR邏輯控制電路根據(jù)比較結(jié)果去控制DAC中的開(kāi)關(guān)切換,使DAC進(jìn)一步產(chǎn)生逼近輸入信號(hào)的參考電壓;最后當(dāng)每一位都比較完成后,DAC的輸出電壓將收斂到與輸入信號(hào)相差不超過(guò)1/2 LSB(1LSB=VFS/2N)的范圍,比較器的每一位輸出碼組成最終的N位輸出碼。

        本設(shè)計(jì)采用了非2進(jìn)制冗余DAC技術(shù)、靜態(tài)鎖存比較器、基于鎖存器的SAR邏輯控制電路,在CMOS工藝下實(shí)現(xiàn)了12 bit的高速SAR ADC的設(shè)計(jì)。

      1 DAC的設(shè)計(jì)

        DAC為傳統(tǒng)電容陣列,陣列基底小于2。由于DAC陣列總電容很小,為抑制電荷注入,采用下極板采樣方式。為保證12 bit動(dòng)態(tài)范圍,選取定基底radix=1.877, 以13位電容陣列的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)12 bit的SAR ADC。電路結(jié)構(gòu)如圖2所示。

        冗余DAC技術(shù)緩解了ADC對(duì)建立時(shí)間和建立精度的要求[3]。在傳統(tǒng)的二進(jìn)制電容陣列里,電容的值都是以2為基底,ADC的轉(zhuǎn)換編碼和輸入信號(hào)之間是線性映射的關(guān)系。如果將電容陣列的基底設(shè)置成小于2,則轉(zhuǎn)換編碼和輸入信號(hào)之間不再是線性映射,這種非線性映射恰恰為DAC的建立提供了冗余,可一定程度放寬DAC的建立精度,同時(shí)建立時(shí)間也大大縮短。一個(gè)N位的非二進(jìn)制SAR ADC,假設(shè)以radix作為電容陣列的基底,由于radix <2,繼續(xù)使用N位電容進(jìn)行量化將導(dǎo)致ADC不足以提供N位精度的動(dòng)態(tài)范圍,假設(shè)使用k位電容進(jìn)行量化,則需滿(mǎn)足

      (1)

        根據(jù)式(1),如果利用13位電容來(lái)實(shí)現(xiàn)12位ADC,則基底至少為1.8772。冗余發(fā)生在量化編碼為0111…111和1000…000之間,只要輸入信號(hào)在此冗余范圍,不管高位量化值是0還是1,最終都能被準(zhǔn)確地表示,換言之,只要DAC能夠建立到對(duì)應(yīng)的冗余范圍內(nèi),最終就能正確完成量化[4]

      2 SRA ADC的工作原理

        在采樣階段,采用下極板采樣的方式,DAC差分輸出端接共模電壓VCM,所有電容下極板分別接輸入信號(hào)Vip和Vin,此時(shí)差分DAC輸出端的電荷:

      (2)

      (3)

        為了減小采樣開(kāi)關(guān)的非理想效應(yīng),先將VCM開(kāi)關(guān)斷開(kāi),再將自舉采樣開(kāi)關(guān)斷開(kāi),完成對(duì)輸入信號(hào)的采樣。采樣完成后即進(jìn)行第一次量化。以差分DAC的P端為例,首先將上極板從共模電平VCM斷開(kāi),然后將除MSB電容外所有電容的下極板切換到Vrefb,MSB電容下極板切換到Vrefb,DAC建立完成即進(jìn)行第一次比較,此時(shí),上極板電荷:

      (4)

        互補(bǔ)DAC的N端的切換方式和P端相反,其切換后上極板電荷:

      (5)

        根據(jù)上極板電荷守恒:

      (6)

        可得第一次比較時(shí):

      (7)

      (8)

        其中定義模擬權(quán)重:

        假設(shè)第一次比較結(jié)果D12=1,即VXP<vxn,則

      3 比較器的設(shè)計(jì)

        本設(shè)計(jì)中的比較器采用靜態(tài)鎖存比較器加一級(jí)動(dòng)態(tài)鎖存器的結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)如圖3所示。靜態(tài)鎖存比較器采用的再生單元是A類(lèi)交叉耦合對(duì)[5],比較器的工作電流決定了其轉(zhuǎn)換速度。第一級(jí)為預(yù)放大級(jí),對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大,輸出電流通過(guò)鏡像注入再生單元,差分輸入對(duì)管的漏端與再生節(jié)點(diǎn)之間存在隔離,回踢噪聲較小。比較器采用異步時(shí)序控制,當(dāng)比較器產(chǎn)生比較結(jié)果后對(duì)比較器進(jìn)行復(fù)位操作。

        本設(shè)計(jì)中SAR ADC的輸入信號(hào)為800 mVpp,一個(gè)LSB為195 mV??紤]到Latch的比較速度與輸入信號(hào)的關(guān)系,預(yù)放大級(jí)的增益設(shè)計(jì)為20 dB。在實(shí)際工作時(shí),比較器的工作速度很快,因此預(yù)放大級(jí)需要有足夠的帶寬。本設(shè)計(jì)中預(yù)放大級(jí)的-3 dB帶寬為1.8 GHz。

      4 SAR邏輯控制電路的設(shè)計(jì)

        采用同步結(jié)構(gòu)的SAR邏輯需要額外的控制時(shí)鐘。對(duì)于一個(gè)N位同步SAR ADC而言,量化過(guò)程需要N個(gè)時(shí)鐘周期,采樣過(guò)程需要一個(gè)到多個(gè)時(shí)鐘周期,假設(shè)為一個(gè)時(shí)鐘周期,則ADC的采樣率為外部時(shí)鐘頻率的1/(N+1),由于采樣時(shí)鐘必須要保證精度且由外部時(shí)鐘分頻得到[6-7],因此在同步設(shè)計(jì)里首先要保證(N+1)倍于采樣率的外部時(shí)鐘的精度,不但相當(dāng)困難,而且十分不經(jīng)濟(jì)。

        因此本設(shè)計(jì)采用異步時(shí)序控制的SAR邏輯。SAR邏輯控制電路由13個(gè)鎖存單元及對(duì)應(yīng)的DAC開(kāi)關(guān)控制信號(hào)產(chǎn)生電路組成,如圖4所示,本設(shè)計(jì)共有13個(gè)鎖存單元。

        VIN和VIP接收比較器的輸出,ENS接收來(lái)自前一級(jí)的使能信號(hào),CLK為鎖存單元的控制時(shí)鐘,控制內(nèi)部的鎖存器,RST為復(fù)位信號(hào),鎖存單元對(duì)比較器的結(jié)果進(jìn)行鎖存后,經(jīng)過(guò)邏輯電路產(chǎn)生VOUTP和VOUTN作為DAC開(kāi)關(guān)的控制信號(hào),來(lái)控制電容下極板的切換。其工作流程為,當(dāng)比較器產(chǎn)生比較結(jié)果后,將比較結(jié)果輸出到SAR單元,同時(shí)將比較結(jié)果通過(guò)與非門(mén)來(lái)產(chǎn)生鎖存單元的控制時(shí)鐘,控制鎖存單元對(duì)比較器的輸出結(jié)果進(jìn)行鎖存,鎖存完成后隨即產(chǎn)生一個(gè)使能信號(hào),開(kāi)啟下一級(jí)鎖存單元,等待下一次比較器的結(jié)果。當(dāng)最后一級(jí)鎖存單元鎖存比較器結(jié)果后,產(chǎn)生的READY信號(hào)作為最終量化數(shù)據(jù)并行輸出的控制信號(hào),并用于產(chǎn)生SAR邏輯控制電路的復(fù)位信號(hào),同時(shí)將DAC的電容上極板接到VCM,等待下一個(gè)采樣周期的到來(lái)。

      5 SAR ADC仿真結(jié)果

        在采樣頻率Fs=160 MHz時(shí),在不同輸入信號(hào)頻率下對(duì)SAR ADC進(jìn)行仿真。輸入信號(hào)為差分的正弦波,差分?jǐn)[幅為800 mVpp,參考電壓Vreft=800 mV,Vrefb=400 mV。通過(guò)Matlab對(duì)ADC的輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行FFT處理后,得到SAR ADC在不同輸入信號(hào)頻率下的動(dòng)態(tài)性能如表1所示。

        SAR ADC在不同輸入信號(hào)頻率時(shí)的性能仿真結(jié)果統(tǒng)計(jì)如表1所示。

        由仿真結(jié)果可以看出,本ADC的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)在160MHz的采樣頻率下能夠完成13次量化,并保證了12位的量化精度。

      6 結(jié)論

        本設(shè)計(jì)采用了非二進(jìn)制冗余DAC技術(shù)來(lái)緩解ADC對(duì)建立時(shí)間和精度的要求;采用帶有預(yù)放大級(jí)的高速比較器來(lái)提高比較器的精度,并減小后級(jí)Latch的回踢噪聲;SAR邏輯控制電路采用基于鎖存器的鎖存單元來(lái)提高SAR的速度,并且采用了異步時(shí)序控制,不需要外部時(shí)鐘,有利于提高SAR ADC的速度,并降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。

        經(jīng)過(guò)仿真驗(yàn)證,本文設(shè)計(jì)的SAR ADC在160 MHz的采樣頻率下,在不同輸入信號(hào)頻率下均可以實(shí)現(xiàn)12 bit的量化精度,SFDR均在83 dB以上。

        參考文獻(xiàn):

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        [2]Y. Zhu, C. H. Chan, S. W. Sin, et al.. A 34 f J 10b 500 MS/s partial-interleaving pipelined SAR ADC[C]. Symposium on VLSI Circuits, Honolulu, 2012, 90-91

        [3]杜翎.基于非二進(jìn)制量化算法的的設(shè)計(jì)[D].電子科技大學(xué),2016.

        [4]王偉.分辨率可配置型高速SAR ADC的研究與設(shè)計(jì)[D].電子科技大學(xué),2016.

        [5]C. C. Liu, C. H. Kuo, Y. Z. Lin. A 10 bit 320MS/s low-cost SAR ADC for IEEE 802.11ac applications in 20 nm CMOS[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2015, 50(11): 2645-2654

        [6]L. Du, S. Wu, M. Jiang, et al.. A 10-bit 100MS/s subrange SAR ADC with time-domain quantization[C]. International Symposium on Circuits and Systems, Melbourne VIC, 2014, 301-304

        [7]Y. Zhu, C. H. Chan, S. W. Sin, et al.. A 34 f J 10b 500 MS/s partial-interleaving pipelined SAR

        ADC[C]. Symposium on VLSI Circuits, Honolulu, 2012, 90-91

        本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》2018年第3期第61頁(yè),歡迎您寫(xiě)論文時(shí)引用,并注明出處。



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