2017年至2022年期間，因智能手機(jī)搭載IC數(shù)量增加與對(duì)先進(jìn)制程需求提升，加上包括IoT、AR/VR、汽車(chē)電子、高效能電算市場(chǎng)都有機(jī)會(huì)在未來(lái)5年進(jìn)入成長(zhǎng)期，DIGITIMESResearch預(yù)估，2022年全球晶圓代工產(chǎn)值將達(dá)746.6億美元，2017年至2022年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)將為6%。

　　在產(chǎn)能部分，臺(tái)積電7納米FinFET及EUV先進(jìn)制程預(yù)計(jì)分別于2018年初與2019年初導(dǎo)入量產(chǎn)，再加上中芯國(guó)際、聯(lián)電、Globalfoundries于大陸的擴(kuò)廠(chǎng)計(jì)劃，DIGITIMESResearch預(yù)估，2022年臺(tái)積電、Globalfoundries、聯(lián)電、中芯國(guó)際等全球前四大純晶圓代工業(yè)者合計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)6,278.1萬(wàn)片約當(dāng)8寸晶圓，2017年至2022年復(fù)合成長(zhǎng)率將達(dá)7.1%。

　　臺(tái)積電10nmFinFET制程已于2016年第四季導(dǎo)入量產(chǎn)，并于2017年第二季對(duì)營(yíng)收產(chǎn)生貢獻(xiàn)，DIGITIMESResearch預(yù)估，2017年臺(tái)積電來(lái)自10nm制程營(yíng)收占其全年?duì)I收約10%。臺(tái)積電7納米FinFET制程預(yù)計(jì)于2018年初導(dǎo)入量產(chǎn)，至于7nm極紫外光(ExtremeUltraviolet;EUV)制程，則預(yù)計(jì)2019年初量產(chǎn)。而先進(jìn)制程導(dǎo)入量產(chǎn)亦將成為未來(lái)5年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)重要成長(zhǎng)動(dòng)力。

　　從產(chǎn)能規(guī)劃角度觀察，DIGITIMESResearch指出，中芯國(guó)際除位于北京12寸晶圓廠(chǎng)B2產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充之外，尚有上海S2、北京B3，及深圳P2與P3將陸續(xù)興建，若再加上聯(lián)電廈門(mén)廠(chǎng)Fab-12X，乃至Globalfoundries與成都市政府合作設(shè)立12寸晶圓廠(chǎng)格芯，未來(lái)5年，大陸新增28nm制程(包括22納米FD-SOI制程)月產(chǎn)能將達(dá)24.6萬(wàn)片約當(dāng)12寸晶圓，使2018年起，28nm制程代工價(jià)格與產(chǎn)能利用率將面臨下滑壓力。