美光估算DRAM供應(yīng)

　　DRAM行業(yè)供應(yīng)情況

　　存儲行業(yè)的玩家無法控制DRAM需求，因為它受到終端消費者需求的控制，這是難以預測的。但他們可以控制供應(yīng)。

　　多年來，DRAM市場從30家供應(yīng)商整合到3家：三星、SK Hynix和Micron。只有幾個行業(yè)參與者，可以保持供應(yīng)紀律，因為他們分享了類似的需求環(huán)境。

　　美光預計到2020年，DRAM行業(yè)的復合年增長率為15.0%-20.0%。

　　有紀律的資本支出并不能阻止下滑

　　供應(yīng)商沒有計劃在2017年增加新的DRAM生產(chǎn)能力。任何容量擴張將來自技術(shù)轉(zhuǎn)型。這將導致2017年DRAM供應(yīng)邊際增長，反過來又將抬升DRAM價格。

　　但是，這不同于3年前的情況。在摩根大通技術(shù)媒體與電訊會議上，美光首席財務(wù)官Ernest Maddock以2014年上市周期為例。

　　2014年，SK海力士的DRAM設(shè)備的火災使得市場上出現(xiàn)了大量缺貨。第二名，Micron正在鞏固日本Elpida Memory的業(yè)務(wù)，這減慢了供應(yīng)增長。這就推動了三星的供應(yīng)負擔。

　　三星解釋說，供需缺口有所不同，競爭對手無法滿足需求。這樣就帶來了新的網(wǎng)絡(luò)容量。SK海力士和美光在2015年中期解決了他們的產(chǎn)能問題。

　　然而，增加的DRAM容量遇到PC業(yè)務(wù)的意外下滑，導致DRAM供大于求。雖然能力擴張計劃好，但卻不能防止供過于求的情況。

　競爭對手能否擴大DRAM產(chǎn)能?

　　在美銀美林2017全球技術(shù)大會上，馬多克解釋說，諸如低借款成本和高DRAM價格等暫時性因素并不會影響供應(yīng)商的資本支出。

　　他解釋說，新的DRAM設(shè)備上線將需要數(shù)十億美元，至少需要兩年時間。一旦容量上線，就可以在未來10~15年內(nèi)產(chǎn)生回報。因此，產(chǎn)能擴張的決定受到需求的影響，工廠的規(guī)模取決于需求的強度。

　　麥克多克表示，如果Micron認為PC需求每年增長5.0%，智能手機需求將會加速，Micron可能會考慮擴大其DRAM產(chǎn)能。

　　事實上，美光對DRAM需求的增長并不樂觀，因此不會投資于新的產(chǎn)能。它更愿意投資新技術(shù)，以促進增長。我們將在下一部分分析一下。

　　美光的DRAM資本支出

　　技術(shù)轉(zhuǎn)型推動DRAM供應(yīng)增長

　　美光科技預計到2020年，DRAM行業(yè)的供應(yīng)量平均年增長率為15.0%-20.0%，主要增長動力源于技術(shù)轉(zhuǎn)型。美光公司的首席財務(wù)官Ernest Maddock預計供應(yīng)將在此范圍的低端發(fā)展，因為每個高級節(jié)點產(chǎn)生的增量都較少。

　技術(shù)轉(zhuǎn)型如何限制供應(yīng)

　　在納斯達克第36次投資者大會上，Maddock解釋說，先進技術(shù)不會產(chǎn)生更多的晶圓。

　　DRAM設(shè)備可以在20nm(納米)節(jié)點上處理100個晶片。當設(shè)施轉(zhuǎn)移到18納米節(jié)點時，晶粒尺寸縮小，每晶圓位數(shù)可能增加25.0%-30.0%。

　　隨著模具尺寸的縮小，設(shè)備必須在模具上沉積更多層，并蝕刻細紋理的幾何形狀。這增加了在蝕刻過程中花費的時間。因此，相同的設(shè)備處理較少的晶圓，代替100個晶圓，先進的節(jié)點可以蝕刻95個晶圓。然而，每晶圓的位數(shù)會增加。

　　每個節(jié)點收縮使得總體位數(shù)在增加，但由于更少的晶圓被蝕刻，所產(chǎn)生的增加位數(shù)正在下降。一家公司可以通過添加更多設(shè)備來處理100個晶圓。

　　Micron的DRAM資本支出在哪里?

　　隨著存儲市場的成熟，資本密集度降低，這意味著與回報相比，花費的資本少。雖然美光在DRAM收入中所占的收益超過了60.0%，但其資本支出占DRAM的40.0%-50.0%。

　　在未來的兩三年內(nèi)，美光計劃花費20億美元將其日本(EWJ)工廠轉(zhuǎn)換為DRAM中心。它計劃開發(fā)用于智能手機、數(shù)據(jù)中心和自駕車的下一代存儲芯片。Nvidia和英特爾的主要客戶將其產(chǎn)品集中在AI 上，將專注于開發(fā)適用于AI應(yīng)用的高端DRAM產(chǎn)品。

　　另一方面，三星在韓國的一個新的DRAM工廠投入了87億美元。

　　接下來，我們將看看NAND市場。

　　美光的NAND需求展望

　　DRAM的需求預計將以年均20.0%的速度增長，到2020年將以15.0%~20.0%的速度增長。另一方面，NAND市場可能會比DRAM增長快速。

　　NAND市場占存儲市場的30.0%，即480億美元。在NAND市場中，320億美元用于非存儲產(chǎn)品，而160億美元用于SSD(固態(tài)硬盤)。NAND市場主要由美光、SK海力士和西數(shù)(WDC)-Toshiba合資公司把持。

　　目前，所有NAND玩兒家正在進行從平面到3D NAND的技術(shù)轉(zhuǎn)換。三星和美光在3D NAND市場上處于領(lǐng)先地位，其他的也在追趕。他們大多數(shù)可以在2017年下半年投入量產(chǎn)。TrendForce預計3D NAND將在第三季度占總體行業(yè)NAND產(chǎn)量的50.0%以上。

　　由于需求不斷增加，向3D NAND的過渡形成了NAND供應(yīng)不足的局面。

　　NAND需求前景

　　美光預計，2016~2020年，NAND的年復合增長率為45.0%。這主要得益于SSD和移動領(lǐng)域的強勁需求。

　　SSD

　　美光預計，2016~2020年SSD需求將增長超過50.0%。由于SSD更快、更耐用、功耗更高、存儲容量更高，因此SSD是HDD(硬盤驅(qū)動器)的直接競爭性替代品。雖然SSD在筆記本電腦和服務(wù)器中的采用率已經(jīng)上升，但仍然有很大的市場等待挖掘。

　　像SanDisk和Micron這樣的存儲制造商已經(jīng)在供應(yīng)鏈中拓展產(chǎn)能，開始制造SSD，而不是為SSD提供閃存。

　　移動

　　另一個重要的需求驅(qū)動是移動NAND。正如我們在本系列的其他部分所看到的，每個智能手機的內(nèi)存容量正在顯著增加。即使是基本的移動設(shè)備也有較高的內(nèi)存。美光預計2016~2020年移動NAND需求將增長40.0%~50.0%。

　　由于美光在移動NAND市場中占有的份額很小，因此供應(yīng)環(huán)境緊張，導致其他移動NAND制造商無法滿足市場需求，因此有充足的機會增加其市場份額。蘋果在2017年推出其下一款iPhone時，可能會占據(jù)整體NAND產(chǎn)能的主要部分。

　　接下來，我們來看看NAND供應(yīng)環(huán)境。

　美光對NAND供應(yīng)的看法

　　由于存儲和移動市場的強勁增長，美光科技預計3D NAND需求將大幅增長。NAND市場在2017上半年的供貨量增長放緩后，平面NAND容量下降，主要精力都在安裝3D NAND設(shè)備上。

　　這使得NAND市場供應(yīng)緊張。然而，隨著行業(yè)玩兒家將3D NAND產(chǎn)品上線，供應(yīng)可能在2017年下半年有所改善。

　　NAND市場的資本支出

　　三星計劃在2017年7月在韓國新建工廠，開始生產(chǎn)其64層NAND芯片。東芝和西部數(shù)據(jù)的合資企業(yè)計劃在2017年下半年開始生產(chǎn)64層3D NAND芯片。在生產(chǎn)36層和48層3D NAND芯片后，SK海力士推出了其72層3D NAND產(chǎn)品，并計劃于2017年下半年開始批量生產(chǎn)72層芯片。

　　美光已經(jīng)將超過50.0%的NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D NAND，并計劃在2017年第三季度將其增長到75.0%。

　　新產(chǎn)能導致NAND供應(yīng)過剩?

　　美光公司首席財務(wù)官Ernest Maddock并不期望在2017下半年推出新的3D NAND產(chǎn)品，從而在未來的12~18個月內(nèi)創(chuàng)造供大于求的情況。由于蘋果對其下一款iPhone的需求強勁，而SSD供應(yīng)商的需求也在不斷增加，他預計所有新產(chǎn)能將被吸收。

　　在美銀美林2017全球技術(shù)大會上，Maddock表示，3D NAND技術(shù)需要高額的資本支出，因為技術(shù)是新的。隨著技術(shù)的成熟，其資本密集度將逐漸減弱。

　　下面，我們將介紹美光的3D NAND戰(zhàn)略。