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            臺(tái)積電公開回復(fù):東芝競(jìng)標(biāo)案和3nm廠選址

            作者: 時(shí)間:2017-04-17 來源:DIGITIMES 收藏

              13日的法說會(huì)中,針對(duì)近期兩大熱門議題:日本半導(dǎo)體大廠東芝NAND Flash部門競(jìng)標(biāo)案、先進(jìn)制程3奈米晶圓廠的選址,一一對(duì)外界做最新的回覆。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201704/346649.htm

              自從董事長(zhǎng)張忠謀公開表示,考慮參與日本半導(dǎo)體大廠東芝(Toshiba)競(jìng)標(biāo)案后,對(duì)該案的態(tài)度備受市場(chǎng)關(guān)注,尤其參與競(jìng)標(biāo)者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。

              臺(tái)積電13日指出,內(nèi)部確實(shí)評(píng)估過該案,但最后決定不去參與競(jìng)標(biāo),主要是兩大原因,第一,內(nèi)部認(rèn)為這種標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣,第二是認(rèn)為這樣做并沒有太多綜效,因此,臺(tái)積電沒有參與,且強(qiáng)調(diào)假使臺(tái)積電參與其中,也會(huì)自己去競(jìng)標(biāo),不會(huì)是呼朋引伴的景象,間接否認(rèn)和鴻海一同競(jìng)標(biāo)的猜測(cè)是不正確的。

              針對(duì)記憶體技術(shù)的布局,臺(tái)積電表示,對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)型獨(dú)立式的記憶體晶片如PC DRAM晶片、NAND Flash晶片等并沒有興趣,但是對(duì)于嵌入式記憶體技術(shù)的布局,則是下了很大功夫。

              臺(tái)積電目前是全球最大的嵌入式記憶體技術(shù)提供者,用在邏輯制程平臺(tái)上,做晶圓代工,像是新式記憶體技術(shù)如ReRAM、MRAM等,臺(tái)積電都有這些嵌入式記憶體技術(shù),且因?yàn)?8奈米以下,傳統(tǒng)的嵌入式記憶體技術(shù)會(huì)有瓶頸,MRAM是很好接棒的技術(shù)人選,臺(tái)積電已經(jīng)在提供該技術(shù)使用在邏輯制程上了!

              針對(duì)另一個(gè)熱門議題,也就是臺(tái)積電3奈米制程的選址案,因?yàn)橹皞鞒雠_(tái)積電基于穩(wěn)定和充足的水、電供應(yīng)考量,有意到美國(guó)設(shè)立3奈米制程晶圓廠。

              臺(tái)積電指出,延續(xù)之前董事長(zhǎng)張忠謀說法,不排除任何可能性,但在美國(guó)設(shè)晶圓廠并不是最理想的選擇,希望有更多地點(diǎn)可以選。



            關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 3nm

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