SK海力士72層3D NAND存儲器，傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)
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SK海力士最先進(jìn)72層3D NAND存儲器傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報導(dǎo)指出，SK海力士計劃于2017上半年完成芯片設(shè)計，位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/201612/342111.htm若按計劃進(jìn)行，SK海力士將成為全球第一個量產(chǎn)72層3D NAND的存儲器廠。為因應(yīng)市場需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND存儲器產(chǎn)能。
隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲器做突破，但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于2013年量產(chǎn)48層3D NAND存儲器，至于64層3D NAND芯片也將在今年底開始投產(chǎn)。
據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange統(tǒng)計，三星第三季NAND存儲器營收來到37.44億美元，市占率較前季進(jìn)步0.3個百分點至36.6%。東芝以19.6%位居第二，Western Digital、SK海力士與美光分居三、四、五名，市占率依序為17.1%、10.4%與9.8%。
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