寫MSP430片內(nèi)flash
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void FlashWW(unsigned int Adr,unsigned int DataW)
{
}
// 寫入地址 *pc_byte
void FlashWrite(uchar *pc_byte,uchar *Datain,uint count)
{
}
注意：在對字寫入和字節(jié)寫入的時(shí)候，用于指向信息區(qū)數(shù)據(jù)指針類型的區(qū)別，字寫入時(shí)候?yàn)?（（unsigned int *）Adr），字節(jié)寫入時(shí)候?yàn)?（（unsigned char *）Adr）。
4.3 讀取
根據(jù)查看的書籍資料和網(wǎng)絡(luò)資料得出，內(nèi)部Flash的讀取操作沒有順序的要求，一般Flash默認(rèn)的操作方式即為讀模式。讀取Flash的程序代碼如下：
void FlashRead(uchar *pc_byte,uchar *Dataout,uint count)
{
}
在網(wǎng)上查找資料的時(shí)候，好像看到過有位網(wǎng)友的博客說，內(nèi)部Flash的地址是自動加1的，按照他的理解，函數(shù)中pc_byte++語句就沒有用處了，可是事實(shí)不然，我在調(diào)試過程中，發(fā)現(xiàn)并不能自動加1，pc_byte++語句還是有必要的。調(diào)用上述函數(shù)，可以通過這樣的方式FlashRead（（uchar *）0x1000，a，4）；即從0x1080地址處開始，連續(xù)讀取4個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，送給數(shù)組a。
5 小結(jié)
對Msp430 片內(nèi)Flash的操作是通過對3個(gè)控制字中的相應(yīng)位來完成的，只有控制位的正確組合，才能實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能。
同時(shí)在編程中注意靈活使用數(shù)組和指針，以及指向數(shù)組的指針等，可以達(dá)到靈活編程的目的，不過本文中給出的幾個(gè)程序段，基本上能夠?qū)崿F(xiàn)對Msp430 Flash的擦除、寫入等操作。這是我最近3天所作的一些努力，整理一下與大家分享。
本文參考了TI的《MSP430x1xx Family Users Guide》及TI網(wǎng)上提供的關(guān)于Flash操作的實(shí)例代碼，并在網(wǎng)絡(luò)上收集了一些資料，在此不一一列出，不過本文應(yīng)該算本人原創(chuàng)，轉(zhuǎn)載請注明。謝謝
MSP430X14X Flash 讀寫操作總結(jié)
開發(fā)平臺：IAR Embedded Workbench、MSP430F149開發(fā)板
作者：譚貝貝
Flash操作注意事項(xiàng)
在擦除先需要關(guān)閉中斷和看門狗，在擦除的過程中如果產(chǎn)生了中斷，則會在重新使能中斷后產(chǎn)生一個(gè)中斷請求。Flash只能從1寫為0，不能從從0寫為1，所以需要擦除。
可以被擦除的最小模塊是片段，tAll Erase = tMass Erase = 5297/fFTG, tSeg Erase = 4819/fFTG。
Flash ERASE
MSP430X14X的擦除模式可以從Flash或者RAM中進(jìn)行。
從Flash中擦除
從Flash中擦除的過程中所有的定時(shí)都會被Flash控制，CPU被掛起。擦除完成后需要一個(gè)假寫入CPU才能復(fù)位。從Flash擦除時(shí)有可能把后面CPU需要執(zhí)行的代碼擦除。如果發(fā)生這樣的情況，在擦除后CPU的執(zhí)行狀況將不可預(yù)測。
Flash中擦除流程圖
圖片地址：http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b
從RAM中擦除
從RAM中擦除時(shí)CPU不會被掛起，可以繼續(xù)執(zhí)行代碼。必須檢測BUSY位以判斷擦除是否結(jié)束，如果在擦除的過程中（即BUSY=1時(shí)）訪問Flash，這是一個(gè)違規(guī)的訪問，ACCVIFG會置位，而擦除的結(jié)果也將不可預(yù)測。
RAM中擦除流程圖
圖片地址：http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b
Flash Write
MSP430X14X有兩種寫入模式，分為段寫入（byte/word write），和塊寫入（Block Write），塊寫入要快得多，但是操作麻煩，在擦除的過程中不能有一個(gè)Flash word(low + high byte)，則會發(fā)生損壞。CPU不能在BUSY=1時(shí)訪問Flash，否則ACCFIG將置位寫入將不可預(yù)測。
1.Byte/Word write
Byte/Word 寫入可以從Flash或者RAM初始化，當(dāng)從Flash中初始化時(shí)，所有的定時(shí)都會被Flash控制，CPU被掛起。寫完后CPU將繼續(xù)執(zhí)行后面的代碼。
當(dāng)從RAM中初始化時(shí)，BUSY必須在CPU訪問Flash前置0.否則ACCFIG將被置位，寫入的結(jié)果將不可預(yù)測。
在Byte/Word 寫模式下寫入總時(shí)間不能超過4ms,如果超過了，當(dāng)再想這塊任何地址寫入數(shù)據(jù)時(shí)必須先擦除。
Byte/Word 寫入流程圖
從RAM中執(zhí)行Byte/Word 寫入
塊寫入
塊寫入時(shí)沒一小塊不能超過t_cpt=4ms,塊寫入只能從RAM中進(jìn)行，在塊寫入的過程中WAIT位要置0，當(dāng)想Flash中寫入數(shù)據(jù)時(shí)，需要先檢查WAIT位是否為1.當(dāng)前塊寫完后BLKWRT要清0.
流程圖
圖片地址：http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b
在擦除或者寫入的過程中訪問Flash，見下表
Flash的寄存器
FCTL1，選擇擦除和寫入模式的寄存器
FRKEY/FWKEY 高八位為密碼讀的密碼為96h，寫的密碼為A5h。
BLKWRT
WRT
MERASE和ERASE，擦除模式選擇位
FCTL2時(shí)鐘選擇寄存器
FWKEYx密碼位
FSSELx時(shí)鐘選擇位
FNx分頻比 分頻值等于FN+1
兩個(gè)例子
#include #include "BoardConfig.h" void Write_A(uchar value); void Copy_A2B(void); void main( void ) { } void Write_A(uchar value) { } //Copy data from B to A void Copy_A2B(void) { }
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