// 參數(shù)： adr 為地址 , 范圍 0x1000~0xFFFF
void FlashRead(long adr,uint8 *bBuf,uint8 bLen)
{
while (bLen--)
*bBuf++=*(uint8 *)adr++;
return;
}
本文引用地址：
http://www.biyoush.com/article/201611/321246.htm
// 寫入地址 adr 寫入數(shù)據(jù)：*pc_byte
void FlashWrite(long adr,uchar *Datain,uint len)
{
//FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY + WRT;
while(FCTL3 & BUSY); //如果處于忙狀態(tài)，則等待
while(count--)
{
while(FCTL3 & BUSY);
*(uchar*)adr++ = *Datain++;
}
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while(FCTL3 & BUSY);
}
EraseSectorFlash 過程
void EraseSectorFlash(unsigned int adr)
{
_DINT();
uchar *p0;
//FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//選擇時鐘源，分頻
FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK
while(FCTL3 & BUSY);//如果出于忙，則等待
FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作 每段512字節(jié)
p0 = (unsigned char *)adr;//數(shù)值強制轉換成指針
*p0 = 0; //向段內(nèi)任意地址寫0，即空寫入，啟動擦除操作
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while(FCTL3 & BUSY);
_EINT(); //開總中斷
}
查看空閑的FLASH 地址，避免擦除代碼所在的地址。每次擦除均是一段一段的擦除，每段512字節(jié)。
找不到datasheet，不知道段的起止地址的，可以打開memory ，在內(nèi)存窗口，用代碼嘗試隨便寫入一個任意地址，看哪些地方被改寫成0xFF 就知道段的起止，如：
我們在0x15000寫入（EraseSectorFlash(0x15000);），那里原本有非0xFF數(shù)據(jù)，好辨認（是FF的可以先寫再擦）?？吹蕉蔚钠鹬故?5000-151ff 剛好是512 。
0x15000+0x200->0x15200 所以下一段的起始地址是 0x15200 以此類推。
驗證代碼：
EraseSectorFlash(0x2A000);
EraseSectorFlash(0x2A200);
EraseSectorFlash(0x2A400);
EraseSectorFlash(0x2A600);
FlashWrite(0x2A000,origin_protect_data,512);
memset(origin_protect_data,0xCB,900);
FlashWrite(0x2A200,origin_protect_data,512);
memset(origin_protect_data,0xCA,900);
FlashWrite(0x2A400,origin_protect_data,512);
memset(origin_protect_data,0xC9,900);
FlashWrite(0x2A600,origin_protect_data,512);
編譯地址分配：
在IAR窗口中，點擊view》memory ，在內(nèi)存窗口，點下拉框選擇 SER 可知，SFR地址為 0x0000-0fff
RAM地址為：0x1c00-5bff
FLASH地址：0x5c00-45bff
結合看下面的地址分配圖，即可知道各部分代碼和數(shù)據(jù)被分配到什么地方。
****************************************
* *
* SEGMENTS IN ADDRESS ORDER *
* *
****************************************
SEGMENT SPACE START ADDRESS END ADDRESS SIZE TYPE ALIGN
======= ===== ============= =========== ==== ==== =====
DATA16_AN 0102 - 0103 2 rel 0
0120 - 0121 2
0140 - 0141 2
0144 - 0145 2
015C - 015D 2
0168 - 016F 8
020A - 020B 2
0222 - 0225 4
0228 - 0229 2
0242 - 0245 4
024A - 024B 2
026A - 026B 2
0282 - 0285 4
028A - 028B 2
02A2 - 02A5 4
02A8 - 02A9 2
0340 - 0341 2
0350 - 0351 2
0380 - 0387 8
0392 - 0397 6
03AE - 03AF 2
03C0 - 03C3 4
03D2 - 03D3 2
0640 - 0641 2
0646 - 0648 3
064C - 064C 1
064E - 064E 1
065C - 065D 2
DATA20_I 1C00 - 1E26 227 rel 1
DATA20_Z 1E28 - 28B7 A90 rel 1
CSTACK 5400 - 5BFF 800 rel 1
//-------------------------------------以下為編譯到FLASH的代碼---------------------------
CSTART 5C00 - 5C2F 30 rel 1
ISR_CODE 5C30 - 5E63 234 rel 1
1 5E64 - D123 72C0 rel 1
INTVEC FF80 - FFF9 7A com 1
RESET FFFE - FFFF 2 rel 1
DATA20_C 00010000 - 00019486 9487 rel 1
DATA20_ID 00019488 - 000196AE 227 rel 1
****************************************
* *
* END OF CROSS REFERENCE *
* *
****************************************
30 112 bytes of CODE memory
5 303 bytes of DATA memory (+ 81 absolute )
38 574 bytes of CONST memory
Errors: none
Warnings: none
官方資料：http://pan.baidu.com/share/link?shareid=249328&uk=3523275049
1 Msp430Flash型單片機內(nèi)部Flash存儲器介紹
MSP430的Flash存儲器是可位、字節(jié)、字尋址和編程的存儲器。該模塊由一個集成控制器來控制編程和擦除的操作?？刂破靼ㄈ齻€寄存器，一個時序發(fā)生器及一個提供編程、擦除電壓的電壓發(fā)生器。
Msp430的Flash存儲器的特點有：
1） 產(chǎn)生內(nèi)部編程電壓
2） 可位、字節(jié)、字編程，可以單個操作，也可以連續(xù)多個操作
3） 超低功耗操作
4） 支持段擦除和多段模塊擦除
2 Flash存儲器的分割
Msp430 Flash存儲器分成多個段。可對其進行單個字節(jié)、字的寫入，也可以進行連續(xù)多個字、字節(jié)的寫入操作，但是最小的擦除單位是段。
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