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            半導(dǎo)體晶圓代工為何會出現(xiàn)“一個工藝 各自表述”的局面?

            作者: 時間:2016-07-22 來源:EETop 收藏
            編者按:命名慣例打亂之后,首先延伸出來的問題是,外行人很難搞得清楚,英特爾、臺積電、三星這半導(dǎo)體三雄的技術(shù)競賽,究竟誰輸誰贏?

              2015年Intel、三星、(TSMC)都號稱已量產(chǎn)16/14nm FinFET工藝,下一個節(jié)點是明年的10nm,而10nm之后的半導(dǎo)體制造工藝公認越來越復(fù)雜,難度越來越高,甚至可能讓摩爾定律失效,需要廠商拿出更多投資研發(fā)新技術(shù)新材料。在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星,不過他們在10nm及之后的工藝上很自信,2020年就會量產(chǎn)5nm工藝,還會用上EUV光刻工藝。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201607/294387.htm


            臺積電10nm工藝只等于英特爾12nm,晶圓代工水很深


              而事實是怎么樣的呢?

              剛結(jié)束的第二季新聞發(fā)布會,困擾業(yè)界、媒體多時的半導(dǎo)體工藝“魔術(shù)數(shù)字”問題,首度公開。業(yè)者透露,聯(lián)發(fā)科內(nèi)部有一套換算方式:臺積電的十六納米等于英特爾的二十納米、十納米等于英特爾的十二納米……

              7月14日,臺積電2016年第2季新聞發(fā)布會,以電話會議方式參加的美國分析師Arete researchz分析師Brett Simpson,問了一個突兀的問題。他竟然要臺積電共同首席執(zhí)行官劉德音比較一下英特爾預(yù)計明年量產(chǎn)的十納米工藝,與臺積電兩年后量產(chǎn)的七納米工藝,性能特征上的差距。

              “你得去問我們的顧客,”劉德音有點不快的說,“我無法為他們回答。”

              若是在幾年前,不會出現(xiàn)這種提問。根據(jù)半導(dǎo)體業(yè)界遵循了30年的摩爾定律,7納米工藝領(lǐng)先10納米一個技術(shù)世代,制出的電晶體縮小一半,效能、耗電等各項指標(biāo)都會大幅超越10納米。兩者根本毫無比較的必要。

              這位分析師的問題,首度將困擾業(yè)界、媒體多時的半導(dǎo)體工藝“魔術(shù)數(shù)字”問題,提到公開場合。他暗示,臺積電尚未量產(chǎn)的7納米與英特爾的10納米工藝,屬于同一個技術(shù)世代,因此可以相提并論。

              若干臺積電客戶認同此說法。他們也指出,臺積電目前量產(chǎn)的最尖端工藝──獨吃蘋果A10處理器的16納米工藝,僅相當(dāng)于英特爾的20納米工藝。

              不到一個月前,有記者當(dāng)面詢問臺積電大客戶、世界最大IC設(shè)計公司高通首席技術(shù)官葛羅布(Matt Grob)這個問題。他毫不遲疑的大聲說“沒錯!(YES)”。

              不只臺積電,三星與格羅方德的工藝數(shù)字都經(jīng)過不同程度的“美化”?!斑@些代工業(yè)者都想辦法把數(shù)字弄得愈小愈好,”葛羅布說。

              他表示,結(jié)果是讓業(yè)界“非常非常困擾。”即使是高通內(nèi)部的會議簡報,都不能直接套用代工廠公告的技術(shù)數(shù)字,而必須經(jīng)過換算。“我們要問清楚,這個硅上到底可以放多少個邏輯電路?”葛羅布說。

              一位資深業(yè)者透露,聯(lián)發(fā)科內(nèi)部也有一套換算方式:臺積電的16納米等于英特爾的20納米、10納米等于英特爾的12納米。接下來未定,但看來“臺積電的7納米,比英特爾的10納米要好一點,”他說。

              只不過幾年以前,整個半導(dǎo)體業(yè)都跟著龍頭英特爾的腳步亦步亦趨。為什么會變成現(xiàn)在這種“一個工藝,各自表述”的混亂場面?

              一位前臺積高階主管,曾向媒體透露,始作俑者是三星,而時間點則是在整個產(chǎn)業(yè)導(dǎo)入全新的鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)時,約在2、3年前。

              臺積電最早采用FinFET的16納米工藝,原本計劃跟隨英特爾,稱為20納米FinFET。因為該工藝的電晶體最小線寬(half-pitch)與量產(chǎn)的前一代20納米傳統(tǒng)電晶體工藝差不多,只是換上全新的FinFET電晶體。

              但客戶向臺積電主管反應(yīng),同樣的工藝,三星已搶先命名為“14納米”。如果臺積電真叫“20納米”一定吃悶虧。

              臺積電從善如流,不久后改名,但只敢叫16納米?!拔覀冎辽儆悬c良心,不敢(像三星)那樣隨便叫,”這位前臺積高層苦笑著。

              例如,英特爾原先預(yù)期將在今年秋天問世的10納米工藝處理器,不久前宣布將會延后到17年的下半年推出。因此,量產(chǎn)時間極可能落后也將在同一年量產(chǎn)的臺積電“10納米”工藝。

              當(dāng)時部分媒體都以“臺積電超車英特爾”大幅報導(dǎo)。但業(yè)內(nèi)人士都心知肚明,其實,彼“10納米”不等于此“10納米”,目前,臺積電仍落后英特爾一個技術(shù)世代以上。

              只不過,這個“臺灣希望”正迎頭趕上。“過去英特爾對臺積電有較大的技術(shù)領(lǐng)先,”高通首席營運官戴瑞克說,“我們認為這些差距正在縮小,而且還會持續(xù)縮小?!?/p>



            關(guān)鍵詞: 晶圓 臺積電

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