據(jù)海外媒體報(bào)道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲(chǔ)器(MRAM)和相變存儲(chǔ)器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱(chēng)，“自旋傳輸磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)”的研究出現(xiàn)突破，有望加速走上商用之途。

　　韓媒 BusinessKorea 11 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱(chēng)，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn) 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越 DRAM。

　　STT-MRAM 借著改變薄膜內(nèi)的電子旋轉(zhuǎn)方向、控制電流，表現(xiàn)效能和價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力都優(yōu)于 DRAM。最重要的是，DRAM 很難微縮至 10 納米以下，STT-MRAM 則沒(méi)有此一困擾。業(yè)界人士表示，STT-MRAM 是次世代存儲(chǔ)器中最實(shí)際的替代方案，95% 的現(xiàn)行 DRAM 產(chǎn)設(shè)備皆可用于制造 STT-MRAM。IBM 和三星之外，SK 海力士(SK Hynix)和東芝(Toshiba)也協(xié)力研發(fā)此一技術(shù)。

　　除了 STT-MRAM，近來(lái)相變存儲(chǔ)器(PRAM)也備受矚目，英特爾的 3D Xpoint 就包含 PRAM 技術(shù)。PRMA 結(jié)合 DRAM 和 NAND Flash 優(yōu)點(diǎn)，速度和耐用性提高 1 千倍，不過(guò)目前仍在理論階段。