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            ARM與臺(tái)積電宣布7nm FinFET制程合作協(xié)議

            作者: 時(shí)間:2016-03-22 來源:eettaiwan 收藏

              與臺(tái)積公司(TSMC)共同宣布一項(xiàng)為期多年的協(xié)議,針對(duì)7奈米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作,包括支援未來低功耗、高效能運(yùn)算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計(jì)解決方案。這項(xiàng)新協(xié)議將擴(kuò)大雙方長(zhǎng)期的合作夥伴關(guān)系,推動(dòng)先進(jìn)制程技術(shù)向前邁進(jìn),超越行動(dòng)產(chǎn)品的應(yīng)用并進(jìn)入下一世代網(wǎng)路與資料中心的領(lǐng)域。此外,這項(xiàng)協(xié)議并延續(xù)先前采用 Artisan基礎(chǔ)實(shí)體IP之16奈米與10奈米FinFET的合作。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201603/288569.htm

              執(zhí)行副總裁暨產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Pete Hutton表示:“既有以ARM為基礎(chǔ)的平臺(tái)已展現(xiàn)提升高達(dá)10倍運(yùn)算密度的能力,支援特定資料中心的工作負(fù)載,未來ARM特別為資料中心與網(wǎng)路架構(gòu)量身設(shè)計(jì),并針對(duì)臺(tái)積公司7奈米FinFET進(jìn)行最佳化的技術(shù),將協(xié)助雙方客戶在各種不同效能產(chǎn)品上皆能使用業(yè)界最低功耗的架構(gòu)。”

              臺(tái)積公司研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清表示:“臺(tái)積公司持續(xù)投入先進(jìn)制程技術(shù)的研發(fā)以支援客戶事業(yè)的成功,藉由7奈米FinFET制程,我們的制程與設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境解決方案已經(jīng)從行動(dòng)擴(kuò)大到高效能運(yùn)算的應(yīng)用。客戶設(shè)計(jì)的下一世代高效能運(yùn)算系統(tǒng)單晶片將受惠于臺(tái)積公司領(lǐng)先業(yè)界的7奈米FinFET制程。相較于10奈米FinFET制程,7奈米FinFET制程將在相同功耗下提供更多的效能優(yōu)勢(shì),或在相同效能下提供更低的功耗。ARM與臺(tái)積公司共同最佳化的解決方案將能夠協(xié)助客戶推出具有顛覆性創(chuàng)新且市場(chǎng)首創(chuàng)的產(chǎn)品。”

              此項(xiàng)最新協(xié)議奠基于ARM與臺(tái)積公司先前在16奈米FinFET與10奈米FinFET制程技術(shù)成功的合作基礎(chǔ)之上。臺(tái)積公司與ARM長(zhǎng)期保持合作,共同創(chuàng)新,提供先進(jìn)的制程與矽智財(cái)來協(xié)助客戶加速產(chǎn)品開發(fā)周期。近期成果包括客戶及早使用Artisan實(shí)體IP及采用16奈米FinFET與10奈米FinFET制程完成的ARM Cortex-A72處理器設(shè)計(jì)定案。



            關(guān)鍵詞: ARM 臺(tái)積電

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