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            EEPW首頁(yè) > 元件/連接器 > 新品快遞 > Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT

            Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT

            作者: 時(shí)間:2016-03-14 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              公司 ( Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器,可在半橋或全橋配置下輕易開(kāi)關(guān)功率MOSFET與。目標(biāo)應(yīng)用包括大型家用電器的驅(qū)動(dòng)電機(jī)、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)以及電動(dòng)自行車和無(wú)人駕駛飛機(jī)等以電池供電的運(yùn)載工具。新產(chǎn)品還適用于超過(guò)600W的電源,以及燃料電池、太陽(yáng)能和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用的反相器。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201603/288212.htm

              DGD21xx系列具有可自舉到高達(dá)600V的浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器,使之適用于在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及電源常見(jiàn)的高壓電源軌。高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力實(shí)現(xiàn)MOSFET與的快速開(kāi)關(guān),從而在高頻率工作下提升效率。這些器件的輸入邏輯兼容低至3.3V,進(jìn)一步簡(jiǎn)化控制器及電源開(kāi)關(guān)之間的接口設(shè)計(jì)。

              為防止MOSFET或出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象,所有器件都提供延遲匹配能力,而半橋驅(qū)動(dòng)器還配備預(yù)設(shè)的內(nèi)部死區(qū)時(shí)間。其它自我保護(hù)功能包括有效防止觸發(fā)故障狀態(tài)的施密特 (Schmitt) 輸入;能夠承受由高dV/dt開(kāi)關(guān)所產(chǎn)生負(fù)瞬態(tài)的柵極驅(qū)動(dòng)器,以及可在低供電電壓情況下防止故障的欠壓閉鎖。

              新產(chǎn)品系列采用SO-8或SO-16封裝,與其他來(lái)源的器件引腳兼容。如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.diodes.com。



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