SK海力士(SK Hynix)繼2015年之后，再度決定進行史上最大規(guī)模投資。市場不景氣與大陸業(yè)者強勢跨足產業(yè)等種種不利因素下，SK海力士認為只有持續(xù)投資，強化技術競爭力，才能克服眼前危機。

　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟報導，SK集團(SK Group)會長崔泰源在2011年購并虧損中的海力士，將設備投資比例大幅提高到10%以上。相對于其他業(yè)者因為市況差而不敢投資，SK海力士卻因果斷的投資，讓過去3年業(yè)績連創(chuàng)新高。

 根據(jù)市調機構DRAM eXchange資料，DDR4 4Gb模組2015年6月的價格為3.7美元，之后開始下滑，12月時已跌到2美元。平均銷售單價下跌，當然很快營收、營業(yè)利益也會跟著下跌。連市場觀察家也看衰半導體企業(yè)的2016年業(yè)績。

　　雪上加霜的是，大陸政府砸大錢扶植半導體產業(yè)，2015年大陸國營企業(yè)清華紫光集團還以威騰(WD)最大股東的身分，透過威騰間接購并全球第三大NAND Flash業(yè)者新帝(SanDisk)。

　　SK海力士認為若想克服眼前危機繼續(xù)成長，就必須強化技術競爭力。就算2016年業(yè)績展望不如前一年，也要維持研發(fā)投資的規(guī)模，繼續(xù)制程微細化與下一代存儲器的開發(fā)。

　　SK海力士計劃投資進行2z DRAM(20納米級)與1x DRAM(10納米級)的開發(fā)與量產。透過推出講究技術的新產品來強化成本競爭力，也借此提高投資效率。為了改善DRAM價格下滑導致的收益衰退，也計劃增加高階產品DDR4與LPDDR4 DRAM的生產與銷售。

　　NAND Flash方面則計劃開發(fā)比16納米更微細的2D架構14納米產品，以確保競爭力。2015年36層3D NAND Flash初期量產成功，2016年打算正式量產48層產品維持技術領先。同時致力研發(fā)屬于新成長動能的下一代存儲器與系統(tǒng)半導體，期望與后進業(yè)者拉開技術差距。

　　為了因應中長期增加的需求，位于韓國利川與清州的建廠投資計劃也照規(guī)劃進行。利川M14廠為了二期工程，投資1兆韓元(約8.3億美元)建設無塵室與電力、環(huán)境等基礎設施。又為清州新廠購地，近年內還會著手整理利川新廠基地。

　　SK海力士引用首爾大學經(jīng)濟研究所研究結果表示，透過M14廠創(chuàng)造的營收，到2021年為止可望為韓國引發(fā)55兆韓元產值，創(chuàng)造21萬個就業(yè)機會。