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            EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

            高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

            作者: 時(shí)間:2010-06-08 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            若存在另外一組同樣結(jié)構(gòu)的電路,設(shè)這兩組電流輸出分別為IO1和 系:IO2,Vb節(jié)點(diǎn)共用,即Vb1=Vb2,讓其構(gòu)成減法電路,則:

            Vc2、Vd和兩個(gè)電壓乘積的線性控制??紤]到控制的方便并保證所有管子工作在飽和區(qū),令Vc2=0,VG2=0,則I0l-I02d=KVcVG1,這樣就實(shí)現(xiàn)了模擬信號(hào)相乘的運(yùn)算。

            有源衰減器和偏置電路

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/187973.htm

            圖2為有源衰減器電路,該結(jié)構(gòu)左右對(duì)稱,其輸入電壓Vx和輸出電壓V1均為平衡差動(dòng)信號(hào),其中M10和M12、M11和M13構(gòu)成兩管的有源衰減器;M8和M9分別以I1和I2為電流源的源極跟隨器,主要完成信號(hào)的傳輸以及電平位移,并提供負(fù)載合適的偏置。


            設(shè)M10、M11工作處于線性區(qū),M12、M13工作在飽和區(qū)。忽略二級(jí)效應(yīng)溝道調(diào)制和體效應(yīng),經(jīng)公式推導(dǎo),輸出信號(hào)和輸人信號(hào)有如下關(guān)系


            可以看出F即為衰減系數(shù)并可以通過(guò)調(diào)整M10、M12的寬長(zhǎng)比得到合適的F值。

            要保證電路正常工作需要提供穩(wěn)定的偏置,圖3給出了偏置電壓Vbias設(shè)M14~M17都工作在飽和區(qū),M14和M17完全相同且(L,/W)16>(L,w)17忽略所有MOS管的二級(jí)效應(yīng),由于M14和M15的鏡像作用,流過(guò)M14和M15管子的電流相等。則有:



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