LIC和LPORT

　　很多ESD器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中經(jīng)常提到讓器件盡可能靠近ESD輸入點(diǎn)。這樣LPORT/LIC比就會(huì)盡可能得低(即LIC>>LPORT)。LPORT的電感未必會(huì)影響整體的ESD性能，但LIC的電感則肯定會(huì)影響ESD性能。

　　LIC的非線性會(huì)通過大幅削減IC電壓來充當(dāng)ESD脈沖的初始峰值電流的緩沖器。隨著電感的降低(即ESD器件越來越靠近IC)，電壓降也會(huì)不斷減小，直到無法獲得任何優(yōu)勢(shì)時(shí)為止。所以，將LPORT/LIC比降至最低以便利用PCB跡線的寄生特性對(duì)設(shè)計(jì)者最有利。我們所說的電壓降如圖4所示。

　　圖4

　　利用LIC和LPORT是提升整體ESD性能的直接方法。然而，無論上述比值有多小，仍然有設(shè)計(jì)會(huì)過早地出現(xiàn)故障。換句話說，LIC未能為峰值ESD電流提供充足的緩沖。

　　有時(shí)候，采用先前的技術(shù)不足以為給定電路板設(shè)計(jì)提供最大限度的ESD保護(hù)。原因在于流經(jīng)“片上”ESD結(jié)構(gòu)的電流過多，并且在I/O短接至GND或VCC時(shí)被損壞。

　　圖5有助于將它弄清楚，表明ESD器件和受保護(hù)的IC實(shí)際上共同承擔(dān)了來自于ESD脈沖的電流負(fù)載。該數(shù)值(負(fù)跡線電感)對(duì)應(yīng)于正ESD脈沖，其中保護(hù)器件吸收了大多數(shù)電流，但是它本質(zhì)上是一個(gè)帶有IC的電阻分壓器。

　　圖5

　　如圖5所示，IC上的軌對(duì)軌二極管負(fù)責(zé)將剩余的或“允通”電流導(dǎo)入VCC(它一般會(huì)通過旁路電容器回到GND)。很難確定什么樣的等效電阻適于為IC實(shí)現(xiàn)ESD保護(hù)，但是無疑比板上ESD器件高得多。