圖5上半部分是負載為40Ω時的波形，圖5下半部分是負載為30Ω時的波形。由圖5可知，在不同負載下，MOSFET器件開關(guān)的占空比是不相同的，負載大則MOSFET器件的導通時間長。

2）輸入電壓變化時輸出電壓的動態(tài)特性

當輸入電壓發(fā)生變化時，輸出電壓也會在瞬間隨著發(fā)生變化，由于輸入電壓的變化直接導致輸入電流的變化，在電流采樣電阻上的壓降的上升斜率隨著變化，可以直接導致輸出占空比的改變，同時，輸出電壓的反饋環(huán)節(jié)同樣起著調(diào)節(jié)作用。圖6為輸入電壓變化時輸出電壓的變化情況。

圖6（a）為輸入電壓由200V減小到150V時的輸出電壓的波形。從圖中可以看出，經(jīng)過短暫的時間調(diào)整后，輸出電壓重新趨向于穩(wěn)定值，并且輸出電壓的變化非常小。

圖6（b）為輸入電壓由150V變到200V時的輸出電壓波形。

圖6 輸入電壓變化時輸出電壓的動態(tài)特性

4 結(jié)語

本文在給出反激電路拓撲的基礎(chǔ)上，通過實際的分立元器件搭構(gòu)實現(xiàn)該拓撲。給出多組試驗波形，以此分析了驅(qū)動控制電路的特點以及工作性能。試驗證明，這種電路控制方法簡潔，性能優(yōu)良。該電路不僅可以應(yīng)用于反激式電路，也可以應(yīng)用于正激式和其它DC/DC電路中。由于所有元器件由分立元器件搭構(gòu)，這就為將來的集成化，以至最終研制芯片提供了基礎(chǔ)，驗證了可行性。