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            反激式DC/DC電源的集成化研究

            作者: 時(shí)間:2011-02-19 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            圖3 啟動(dòng)電路圖

            該啟動(dòng)電路由雙極性晶體管Q1,穩(wěn)壓二極管D1,D3和二極管D2以及電容C1構(gòu)成。在電路啟動(dòng)的初期,輸入的直流電源通過雙極性晶體管Q1給電容C1充電,使電路開始工作。等到反饋的電壓值Feedback比電路中的穩(wěn)壓二極管D1的穩(wěn)壓值大時(shí),雙極性晶體管Q1被關(guān)斷,該電路停止工作。PWM比較器的工作電壓由Feedback信號(hào)提供。這種電路的優(yōu)點(diǎn)是可以有效地減小損耗,而很多國(guó)外產(chǎn)品的啟動(dòng)電路是由大電阻和電容構(gòu)成,因而在電阻上將會(huì)有一定的損耗。

            在圖1的驅(qū)動(dòng)控制電路中,我們還可以看到,該電路有逐周電流檢測(cè)功能。逐周的峰值漏極電流限制電路以原邊電流的采樣電阻作為檢測(cè)電阻。器件內(nèi)部的PI調(diào)節(jié)器的輸出值設(shè)有+5V的電壓限制,而采樣電阻上的電壓值放大5倍后與PI調(diào)節(jié)器的輸出值進(jìn)行比較,故設(shè)計(jì)電路時(shí)就可以精確地計(jì)算出電流峰值,通過選定采樣電阻值和原副邊的匝數(shù)比來進(jìn)行電流限制。當(dāng)MOSFET的漏極電流太大使采樣電阻上的壓降放大后超過+5V的閾值時(shí),MOSFET就會(huì)被關(guān)斷,直到下一個(gè)時(shí)鐘周期開始。

            3 動(dòng)態(tài)性能試驗(yàn)

            1)負(fù)載變化時(shí)輸出電壓的動(dòng)態(tài)特性

            當(dāng)負(fù)載變化時(shí),輸出電壓也在瞬間變化,然后反饋到控制引腳,器件內(nèi)部的控制電路就會(huì)做出相應(yīng)的調(diào)整,改變MOSFET器件開關(guān)的占空比,以實(shí)現(xiàn)輸出電壓穩(wěn)定的目的。

            圖4(a)是負(fù)載變小時(shí)輸出電壓波形的變化情況。負(fù)載變小,輸出電壓變大,導(dǎo)致電壓反饋的誤差放大值變小,脈寬調(diào)制器的輸出波形的占空比變小,使輸出電壓變小,最終使輸出電壓趨向于穩(wěn)定值。此時(shí),輸出電壓的反饋值為+5V。

            圖4(b)是負(fù)載變大時(shí)的輸出電壓波形。同理,可以分析出輸出電壓的變化過程。

            圖4 負(fù)載變化時(shí)輸出電壓的動(dòng)態(tài)特性圖

            在同一個(gè)輸入電壓不同負(fù)載情況下MOSFET器件的uDS的波形如圖5所示。

            圖5 負(fù)載變化時(shí)開關(guān)管的uds波形



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