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            利用計算機設(shè)計單片開關(guān)電源講座

            作者: 時間:2011-03-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            (2)計算過程中若發(fā)現(xiàn)Tj>100℃,應(yīng)選功率較大的TOPSwitch芯片。

            [步驟11]驗算IP

            IP=0.9ILIMIT(min)(8)

            (1)輸入新的KRP值且從最小值開始迭代,直到

            KRP=1.0。

            (2)檢查IP值是否符合要求。

            (3)迭代KRP=1.0或IP=0.9ILIMIT(min)。

            [步驟12]計算初級電感量LPLP=·(9)

            式中:LP的單位取μH。

            [步驟13]選擇磁芯與骨架并確定相關(guān)參數(shù)

            從廠家提供的磁芯數(shù)據(jù)表中查出適合該輸出功率的磁芯型號,以及有效截面積(SJ)、有效磁路長度(l)、等效電感(AL)、骨架寬度(b)等參數(shù)值。

            [步驟14]設(shè)定初級層數(shù)d和次級匝數(shù)NS的初始值

            設(shè)定d=2層。當U=85V~265V時取NS=0.6匝;再用迭代法計算NS;亦可根據(jù)次級每伏匝數(shù)和UF1值,直接計算NS值(參見步驟15)。

            在步驟15至步驟22中必須確定高頻變壓器的9個主要參數(shù):初級電感量LP,磁芯氣隙寬度δ,初級匝數(shù)NP,次級匝數(shù)NS,反饋繞組匝數(shù)NF,初級裸導(dǎo)線直徑DPm,初級導(dǎo)線外徑DPM,次級裸導(dǎo)線直徑DSm和次級導(dǎo)線外徑DSM。上述參數(shù)中,除LP可直接用公式單獨計算外,其余參數(shù)都是互相關(guān)聯(lián)的,因此通常從次級匝數(shù)開始計算。另外鑒于反饋繞組上的電流很?。ㄒ话阈∮?0mA),對其線徑要求不嚴,因此不需計算導(dǎo)線的內(nèi)、外直徑。

            [步驟15]計算次級匝數(shù)NS

            對于230V或?qū)挿秶斎霊?yīng)取0.6匝/V,現(xiàn)已知UO=7.5V,考慮到在次級肖特基整流管上還有0.4V的正向壓降UF1,因此次級匝數(shù)為(UO+UF1)×0.6=4.74匝。由于次級繞組上還存在導(dǎo)線電阻,也會形成壓降,實取NS=5匝。下面就以該數(shù)據(jù)作為初始值分別計算其余7個參數(shù)。

            [步驟16]計算初級匝數(shù)NPNP=NS×(10)

            將UOR=85V,UO=7.5V,UF1=0.4V,NS=5匝一同代入式(10),計算出NP=53.8匝。實取54匝。

            [步驟17]計算反饋繞組匝數(shù)NFNF=NS×(11)

            將NS=5匝,UFB=10.4V,UF2=0.7V,UO=7.5V,UF1=0.4V代入式(11),計算出NF=7.03匝。實取7匝。

            [步驟18]根據(jù)初級層數(shù)d、骨架寬度b和安全邊距M,計算有效骨架寬度bE(單位是mm)

            bE=d(b-2M)(12)

            將d=2,b=8.43mm,M=0代入式(12),求得bE=16.86mm。

            再計算初級導(dǎo)線的外徑(帶絕緣層)DPMDPM=(13)

            將bE=16.86,NP=54匝代入式(13),求得DPM=0.31mm??鄢崞ず舐銓?dǎo)線的內(nèi)徑DPm=0.26mm。

            [步驟19]驗證初級導(dǎo)線的電流密度J是否滿足初級有效值電流IRMS=0.32A之條件J==(14)

            將DPm=0.26mm、IRMS=0.32A代入式(14),得到J=6.06A/mm2。電子數(shù)據(jù)表格中實取6.17A/mm2。

            若J>10A/mm2,應(yīng)選較粗的導(dǎo)線和較大的磁芯骨架,使J10A/mm2。若J4A/mm2,應(yīng)選較細的導(dǎo)線和較小的磁芯骨架,使J>4A/mm2;亦可適當增加NP的匝數(shù)。

            [步驟20]計算磁芯中的最大磁通密度BMBM=(15)

            將IP=0.74A,LP=623μH,NP=54匝,磁芯有效橫截面積SJ=0.41cm2代入式(15),計算出BM=0.2082T。電子數(shù)據(jù)表中實取0.2085T。

            需要指出,若BM>0.3T,則需增加磁芯的橫截面積或增加初級匝數(shù),使BM在0.2~0.3T范圍之內(nèi)。如BM0.2T,就應(yīng)選擇較小的磁芯或減小NP值。

            [步驟21]計算磁芯的氣隙寬度δδ=40πSJ(16)

            式中δ的單位是mm。將SJ=0.41cm2,NP=54匝,LP=623μH,磁芯不留間隙時的等效電感AL=2.4μH/匝2代入式(16),計算出δ=0.22mm。氣隙δ應(yīng)加在磁芯的磁路中心處,要求δ≥0.051mm。若δ小于此值,需增大磁芯尺寸或者增加NP值。

            [步驟22]計算留有氣隙時磁芯的等效電感ALGALG=(17)

            將LP=623μH,NP=54匝,代入式(17),得到ALG=0.214μH/匝2。電子數(shù)據(jù)表中實取0.215μH/匝2。



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