（3）TOPSwitch關(guān)斷且次級(jí)電路處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，

次級(jí)電壓會(huì)感應(yīng)到初級(jí)。感應(yīng)電壓UOR與UI相疊加后，加至內(nèi)部功率開關(guān)管（MOSFET）的漏極上。此時(shí)初級(jí)漏感釋放能量，并在漏極上產(chǎn)生尖峰電壓UL。由于上述不利情況同時(shí)出現(xiàn)，極易損壞芯片，因此需給初級(jí)增加鉗位保護(hù)電路。利用TVS器件來吸收尖峰電壓的瞬間能量，使上述三種電壓之和不超過漏－源擊穿電壓U（BR）DS值。

表4確定UOR、UB值

[步驟5]根據(jù)UImin和UOR來確定最大占空比Dmax

Dmax的計(jì)算公式為：Dmax=×100％（1）

（1）MOSFET的通態(tài)漏－源電壓UDS（ON）=10V。

（2）應(yīng)在U=Umin時(shí)確定Dmax。

若將UOR=135V、UImin=90V、UDS(ON)=10V一并代入式（1），可計(jì)算出Dmax=64.3％，這與典型值67％非常接近。Dmax隨著U的升高而減小，例如當(dāng)U=Umax=265V時(shí)，Dmax=34.6％。

[步驟6]確定初級(jí)脈動(dòng)電流IR與初級(jí)峰值電流IP的比值KRP

定義比例系數(shù)

KRP=IR/IP(2)

（1）當(dāng)U確定之后，KRP有一定的取值范圍。在110V／

115V或?qū)挿秶妷狠斎霑r(shí)，可選KRP=0.4，當(dāng)230V輸入時(shí)，取KRP=0.6。

（2）在整個(gè)迭代過程中，可適當(dāng)增大KRP的值，但不得超過表5中規(guī)定的最大值。

表5確定KRP

計(jì)算下列參數(shù)（電流單位均取A）：

（1）輸入電流的平均值IAVGIAVG=（3）

（2）初級(jí)峰值電流IPIP=（4）

（3）初級(jí)脈動(dòng)電流IR〔可由式（2）求得〕

（4）初級(jí)有效值電流IRMSIRMS=IP（5）

[步驟8]根據(jù)電子數(shù)據(jù)表格和所需IP值，選擇TOPSwitch芯片

（1）所選極限電流最小值ILIMIT(min)應(yīng)滿足

0.9ILIMIT(min)≥IP（6）

（2）若芯片散熱不良，則選功率稍大些的芯片。

[步驟9和步驟10]計(jì)算芯片的結(jié)溫Tj

（1）計(jì)算結(jié)溫TjTj=〔IRMS2×RDS(ON)＋CXT(UImax＋UOR)2f〕·

RθA＋25℃（7）

式中：CXT是漏極結(jié)點(diǎn)的等效電容。括號(hào)內(nèi)第二項(xiàng)代表當(dāng)交流輸入電壓較高時(shí)，由于CXT不斷被充放電而引起的開關(guān)損耗，可用PCXT表示。