一種低功耗寬頻帶LDO線性穩(wěn)壓電路設計
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4 結論
本文提出的這款LDO 線性穩(wěn)壓器，能保證在μF 級別的寄生電容范圍內(nèi)都可以正常工作。
該LDO 的靜態(tài)電流低至10μA,文中同相放大器的引入，提高了整個LDO 的帶寬。從仿真結果可以看出，在負載電流Iload=50mA 時，帶寬為470KHz。
該LDO 其它各方面指標都滿足設計要求。
誤差放大器電路原理圖如圖2 所示。對該EA部分功耗（3μA）以及低的失調電壓的要求，根據(jù)σ2（VT）= A2VT / WL+S2VTD2以及MOS 管的平方率關系[5]，設計出各MOS 管的尺寸，M1 和M2 的寬長比為41/2, M3 和M4 的寬長比為4/1，M5 和M6 的寬長比為2/1， 我們這里取W1=W2=82μm,L1=L2=4μm；W3=W4=12μm,L3=L4=3μm;W5=W6=8μm,L5=L6=4μm。實際上，在EA 這部分為了讓這一級增益Ger 不小于10dB 且保證有足夠的相位裕度，將反饋電容CFF設計為20.8pF，把C1 設計為1.5pF。該部分的仿真結果如圖3 所示。結果表明，該設計在保證穩(wěn)定的前提下Ger 為11dB[6]。
圖2 EA 與反饋網(wǎng)絡
圖3 EA 的環(huán)路增益
2.4 同相放大器設計
同相放大器電路結構如圖4 所示。這一級主要是獲得整個環(huán)路最大的增益Gnon- inv=25dB~30dB。
圖4 同相放大器結構
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