一種低功耗寬頻帶LDO線性穩(wěn)壓電路設(shè)計
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2.3 誤差放大器（EA）設(shè)計
為保證低功耗的前提下I1設(shè)為5μA,I2設(shè)為3μA，在小的偏置電流以及較大的負載的情況下為了保證能得到不小于25dB 的增益，把RF設(shè)計為500K。由于同相放大器的增益隨負載的增加而減小，在設(shè)計中需要適當增加偏置電流I1 和增加RF的值[7]。而帶寬受M2 的跨導(dǎo)和調(diào)整管的W/L 的影響，需要增加M2 的W/L 以及偏置電流I2。圖中M1 的寬長比為4/1, 這里取W1=30μm,L1=3μm，M2 的寬長比為110/1,取W2=110μm,L2=1μm。仿真結(jié)果如圖5 所示。
圖5 同相放大器的增益
3 LDO 整體仿真結(jié)果與討論
我們基于HHNEC 0.35um BCD 工藝下，采用cadence 和Hspice 仿真軟件對整體電路做仿真，如圖6 所示為LDO 環(huán)路穩(wěn)定性仿真曲線。
（a）負載電流為50mA 仿真曲線
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