電源控制芯片中的過流保護(hù)設(shè)計(jì)
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圖11 閉環(huán)總體仿真波形
3 結(jié)論
本文闡述了幾種過流檢測(cè)方法，分析了每種方法的優(yōu)缺點(diǎn)。設(shè)計(jì)了一款閉環(huán)控制型的過流保護(hù)電路，它采用直接檢測(cè)LDMOS 管漏端電壓的方法，可以克服采用電阻檢測(cè)時(shí)消耗能量，芯片容易發(fā)熱的缺點(diǎn)，同時(shí)提高了開關(guān)電源DC/DC 的能量轉(zhuǎn)換效率。另外，采取有比采樣電路設(shè)計(jì)，克服了工藝偏差的影響，提高了采樣精度。
基于3μm高壓BCD 工藝，我們?cè)贑adence 設(shè)計(jì)環(huán)境中利用電路模擬器Spectre 對(duì)該控制電路進(jìn)行了分模塊和整體模塊的仿真，結(jié)果表明該電路可以較好地實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)過流保護(hù)功能。
評(píng)論