摘要：本文介紹采用直接檢測LDMOS 漏端電壓來判斷其是否過流的設(shè)計方案，給出了電路結(jié)構(gòu)。通過電路分析，并利用BCD 高壓工藝，在cadence 環(huán)境下進行電路仿真驗證。結(jié)果證明：該方法能夠快速、實時地實現(xiàn)過流保護功能，相比其它方法，在功耗、效率、工藝兼容性、成本等方面均有很大提高，可以直接應(yīng)用于電源控制芯片中的安全保護設(shè)計。

　　1 引言

　　家電、便攜電子設(shè)備和手持電器的迅猛發(fā)展，已使電源適配器芯片成為集成電路的大宗產(chǎn)品類。由于該類芯片中內(nèi)嵌集成或需要外部連接功率LDMOS 管，應(yīng)用中的LDMOS 管又需要直接和高壓相聯(lián)接并通過大電流（目前的LDMOS 管已經(jīng)能耐受數(shù)百乃至近千伏的高壓）。因此，如何保障芯片和LDMOS 管的安全工作是芯片設(shè)計的重點之一。

　　利用片上二極管正向壓降的負溫度特性來監(jiān)測芯片的熱狀態(tài)，進而控制功率LDMOS 管的開關(guān)是一種可行的安全設(shè)計方法。但是由于硅片存在熱惰性，故不能做到即時控制。該方法更適宜作安全設(shè)計的第二道防線。

　　從芯片設(shè)計看，要確保適配器芯片使用的安全性，比較好的方法應(yīng)該是直接監(jiān)測流經(jīng)LDMOS 管的大電流或LDMOS 管的漏極電壓，以實時監(jiān)控芯片的工作狀態(tài)。一般采取兩種方案：（一）在功率MOS 管源端對地串聯(lián)一個小電阻用于檢測源極電流，如圖1（a）所示；（二）是通過檢測電路監(jiān)控LDMOS 的漏端電壓，如圖1（b）所示。前一種方案至少有以下缺點：（1）由于工藝存在離散性，電阻值很難做到精確（誤差在20%左右）；（2）源極串入電阻后，使原本導通電阻很大的LDMOS 管的管壓降進一步增大，功率處理能力變?nèi)?；?）電阻上流過大電流，消耗了不必要的能量，降低了開關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率。

圖1（a）串聯(lián)電阻檢測電流圖1（b）直接檢測漏端電壓

　　而采用后一種方案，因為利用了集成電路的特點（電壓采樣電路的電阻比精度很容易做到1%），電路處理并不太復雜。重要的是LDMOS 管沒有源極串聯(lián)電阻，可減少能量損耗，不影響LDMOS 管的功率處理能力，提高了電源轉(zhuǎn)換效率。

　　直接檢測漏端電壓判斷LDMOS 是否過流的設(shè)計思想是在LDMOS 管導通時，通過采樣電路檢測LDMOS 漏端電壓，經(jīng)比較，過流比較器輸出一個低電平過流信號以關(guān)閉LDMOS 管；而在LDMOS 管截止期間，采樣電路不工作，同時為了提高可靠性將比較器窗口電平適度拉高。