智能同步整流控制IC-IR1166／7A-B
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3．5 CCM關(guān)斷階段
在CCM模式時，關(guān)斷過程要陡峭得多，di／dt免不了會更高。導(dǎo)通階段對DCM及CRM是理想的，但此時不能重復(fù)。在同步整流MOSFET導(dǎo)通階段，電流將線性地衰減，因此同步整流MOSFET的VDS將升上來。一旦初級開關(guān)開始返回導(dǎo)通狀態(tài)。同步整流MOSFET的電流會迅速減小，其壓降跨過VTH閾值而關(guān)斷，具體見圖5。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/178709.htm
關(guān)斷速度較臨界，為防止初級的交叉導(dǎo)通，并減少開關(guān)損耗，此時要一段消隱時間加入，但此階段要給出非常快的動作速度，隨著VDS達到VTH3迅速復(fù)位。
圖6給出二次側(cè)的DCM、CRM和CCM的工作波形。圖7給出最大允許的VCC電壓和不同負載的最高開關(guān)頻率關(guān)系。
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