智能同步整流控制IC-IR1166／7A-B
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3．1 UVLO／Sleep模式
IC保持在UVLO條件之下，直到VCC端電壓超過VCC開啟閾值電壓Vcc on。在IC處于UVLO狀態(tài)時，柵驅(qū)動電路處于非激活狀態(tài)。IC的靜態(tài)工作電流Iccstart流過，UVLO模式在VCCUVLO時，即為此種狀態(tài)，休息模式可以用將EN端電壓拉低到2．5V以下。在此時，IC也只有極低的靜態(tài)工作電流。
3．2 正常模式
一旦VCC超過UVLO電壓，IC即進(jìn)入正常工作模式，此時，柵驅(qū)動可以開始工作，Icc最大的工作電流從VCC電壓源取得。
IR1167智能同步整流IC可以仿效整流二極管的工作，合適地驅(qū)動同步整流用的功率MOSFET。整流電流的方向檢測由輸入比較器采用MOSF-ET的RDSON作為并聯(lián)電阻，且據(jù)此給出柵驅(qū)動輸出，內(nèi)部消隱邏輯用于防止抑制瞬態(tài)干擾，保證CCM或DCM或CRM的工作模式(見圖3)。在反激式變換電路中，有上述三種電流狀態(tài)。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/178709.htm
3．3 導(dǎo)通階段
當(dāng)SR的MOSFET剛開始導(dǎo)通時，電流先經(jīng)過其體二極管，產(chǎn)生一個負(fù)電壓VDS，體二極管壓降隨電流而增大，IC檢測此電壓，在其超過VT-H2時驅(qū)動MOSFET導(dǎo)通，作同步整流，在這一點(diǎn)IR1167驅(qū)動MOSFET導(dǎo)通，使VDS降下來，加入一段最小導(dǎo)通時間MOT(minimum on time)，消隱干擾，保持MOSFET導(dǎo)通，因而MOT還限制了初級側(cè)的最大占空比。
3．4 DCM及CRM的關(guān)斷階段
一旦SR的MOSFET導(dǎo)通，會一直保持到整流電流減下來使VDS達(dá)到閾值VTH1時進(jìn)入關(guān)斷，這和導(dǎo)通時工作模式相關(guān)。
在DCM中，電流跨過閾值有相對低的di／dt。一旦跨過閾值，電流會再次流入體二極管，又使VDS電壓跳向負(fù)電平，它取決于電流總量。為防VDS又去觸發(fā)MOSFET到導(dǎo)通，在VTH2之后加入一段消隱時間tblank，在到達(dá)VTH1后。消隱時間由IC內(nèi)設(shè)置。當(dāng)VDS電壓變正進(jìn)入VTH2時，消隱時間也由IC內(nèi)設(shè)置，當(dāng)VDS電壓變正進(jìn)入VTH3時，消隱時間終止。IC進(jìn)入下一周期工作。DCM模式的工作波形見圖4。
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