IGBT在由導(dǎo)通狀態(tài)關(guān)斷時(shí)，電流Ic突然變小，由于電路中的雜散電感與負(fù)載電感的作用，將在IGBT的c、e兩端產(chǎn)生很高的浪涌尖峰電壓uce=L dic/dt，加之IGBT的耐過壓能力較差，這樣就會(huì)使IGBT擊穿，因此，其過壓保護(hù)也是十分重要的。過壓保護(hù)可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行：

（1）盡可能減少電路中的雜散電感。作為模塊設(shè)計(jì)制造者來說，要優(yōu)化模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)（如采用分層電路、縮小有效回路面積等），減少寄生電感；作為使用者來說，要優(yōu)化主電路結(jié)構(gòu)（采用分層布線、盡量縮短聯(lián)接線等），減少雜散電感。另外，在整個(gè)線路上多加一些低阻低感的退耦電容，進(jìn)一步減少線路電感。所有這些，對(duì)于直接減少IGBT的關(guān)斷過電壓均有較好的效果。

（2）采用吸收回路。吸收回路的作用是；當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)，吸收電感中釋放的能量，以降低關(guān)斷過電壓。常用的吸收回路有兩種，如圖4所示。其中（a）圖為充放電吸收回路，（b）圖為鉗位式吸收回路。對(duì)于電路中元件的選用，在實(shí)際工作中，電容c選用高頻低感圈繞聚乙烯或聚丙烯電容，也可選用陶瓷電容，容量為2 F左右。電容量選得大一些，對(duì)浪涌尖峰電壓的抑制好一些，但過大會(huì)受到放電時(shí)間的限制。電阻R選用氧化膜無感電阻，其阻值的確定要滿足放電時(shí)間明顯小于主電路開關(guān)周期的要求，可按R≤T/6C計(jì)算，T為主電路的開關(guān)周期。二極管V應(yīng)選用正向過渡電壓低、逆向恢復(fù)時(shí)間短的軟特性緩沖二極管。

（3）適當(dāng)增大柵極電阻Rg。實(shí)踐證明，Rg增大，使IGBT的開關(guān)速度減慢，能明顯減少開關(guān)過電壓尖峰，但相應(yīng)的增加了開關(guān)損耗，使IGBT發(fā)熱增多，要配合進(jìn)行過熱保護(hù)。Rg阻值的選擇原則是：在開關(guān)損耗不太大的情況下，盡可能選用較大的電阻，實(shí)際工作中按Rg=3000/Ic 選取。

圖4 吸收回路

除了上述減少c、e之間的過電壓之外，為防止柵極電荷積累、柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞 IGBT，可在g、e之間設(shè)置一些保護(hù)元件，電路如圖5所示。電阻R的作用是使柵極積累電荷泄放，其阻值可取4.7kΩ；兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1、 V2。是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。

圖5 防柵極電荷積累與柵源電壓尖峰的保護(hù)

過熱保護(hù)

IGBT 的損耗功率主要包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，前者隨開關(guān)頻率的增高而增大，占整個(gè)損耗的主要部分；后者是IGBT控制的平均電流與電源電壓的乘積。由于IGBT是大功率半導(dǎo)體器件，損耗功率使其發(fā)熱較多（尤其是Rg選擇偏大時(shí)），加之IGBT的結(jié)溫不能超過125℃，不宜長(zhǎng)期工作在較高溫度下，因此要采取恰當(dāng)?shù)纳岽胧?a class="contentlabel" href="http://www.biyoush.com/news/listbylabel/label/進(jìn)行">進(jìn)行過熱保護(hù)。

散熱一般是采用散熱器（包括普通散熱器與熱管散熱器），并可進(jìn)行強(qiáng)迫風(fēng)冷。散熱器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)滿足：Tj=P△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm　　式中Tj－IGBT的工作結(jié)溫

　　P△－損耗功率

　　Rjc－結(jié)－殼熱阻vkZ電子資料網(wǎng)

　　Rcs－殼－散熱器熱阻

　　Rsa－散熱器－環(huán)境熱阻

　　Tjm－IGBT的最高結(jié)溫

在實(shí)際工作中，我們采用普通散熱器與強(qiáng)迫風(fēng)冷相結(jié)合的措施，并在散熱器上安裝溫度開關(guān)。當(dāng)溫度達(dá)到75℃～80℃時(shí)，通過 SG3525的關(guān)閉信號(hào)停止PMW 發(fā)送控制信號(hào)，從而使驅(qū)動(dòng)器封鎖IGBT的開關(guān)輸出，并予以關(guān)斷保護(hù)。