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            EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計應(yīng)用 > 基于TMS320F2812的某型光電跟瞄平臺控制電路設(shè)計

            基于TMS320F2812的某型光電跟瞄平臺控制電路設(shè)計

            作者: 時間:2012-06-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            2 電路分析與設(shè)計
            2.1 電路總體設(shè)計
            在干擾力矩作用下產(chǎn)生角運動時,上陀螺輸出與其運動速率成正比的電壓,該電壓信號放大后經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換輸入DSP進行運算。 DSP完成算法后其結(jié)果通過PWM通道輸出給電機驅(qū)動模塊驅(qū)動電機,抵消干擾力矩,從而保持穩(wěn)定。當(dāng)它處于目標(biāo)跟蹤模式時,DSP通過SPI接口接受目標(biāo)參數(shù),進行目標(biāo)跟蹤。控制電路通過RS 422接口接受上位機指令,完成狀態(tài)切換。如圖3所示。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/176996.htm

            c.jpg


            2.2 的結(jié)構(gòu)特點
            電機微控制器具有下述部件:
            CPU、片內(nèi)RAM,ROM,F(xiàn)LASH、專用電機控制的事件管理器和片內(nèi)外設(shè)等。主要性能如下:
            采用高性能靜態(tài)CMOS(StaticCMOS)技術(shù):150 MHz(時鐘周期6.67 ns)、低功耗(核心電壓1.8 V,I/O口電壓3.3 V)、FLASH編程電壓3.3 V;高性能32位中央處理器包含16×16和32×32位的乘法累加器操作,16×16位的雙乘法累加器,哈佛總線結(jié)構(gòu);片內(nèi)存儲器包含128K ×16 b的FLASH存儲器,共計18K×16 b的單周期訪問隨機存儲器(SARAM);3個32位的CPU定時器;2個事件管理器(EVA,EVB);串口外圍設(shè)備:SPI、2個SC1、增強局域網(wǎng)絡(luò)(eCan)、多通道緩沖串行接口(McBSP);雙12位模/數(shù)轉(zhuǎn)換模塊:含2×18通道復(fù)用輸入接口,2個采樣保持電路,單/連續(xù)通道轉(zhuǎn)換,流水線最快轉(zhuǎn)換周期為60 ns,單通道最快轉(zhuǎn)換周期為200 ns,可以使用2個事件管理器順序觸發(fā)8對模/數(shù)轉(zhuǎn)換;多達56個獨立的可編程、多用途通用輸入/輸出(GPIO)引腳。本文設(shè)計的控制電路充分利用了F2812的片內(nèi)外設(shè),大大降低了電路的復(fù)雜程度。



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