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            聯(lián)電:28nm年底占1%至3%

            作者: 時間:2013-09-30 來源:IC設(shè)計與制造 收藏

              晶圓代工廠傳出制程良率已突破7成,獲聯(lián)發(fā)科擴(kuò)大下單。對此不評論,表示28奈米進(jìn)展如預(yù)期,今年底將貢獻(xiàn)1%至3%業(yè)績。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/174419.htm

              近日在制程良率提升獲重大突破利多激勵下,股價表現(xiàn)強(qiáng)勁,今天盤中一度達(dá)新臺幣13.35元,上漲0.75元,漲幅達(dá)5.95%,并創(chuàng)1個多月來新高價。

              聯(lián)電表示,不評論市場傳言,制程進(jìn)展符合預(yù)期。

              聯(lián)電執(zhí)行長顏博文于8月法人說明會中即曾預(yù)期,今年底28奈米制程將貢獻(xiàn)1%至3%業(yè)績;40奈米以下先進(jìn)制程比重第3季可望逼近2成水準(zhǔn)。



            關(guān)鍵詞: 聯(lián)電 28nm

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