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            EEPW首頁(yè) > 工控自動(dòng)化 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > MEMS和信號(hào)調(diào)理實(shí)現(xiàn)擴(kuò)散硅壓力傳感器

            MEMS和信號(hào)調(diào)理實(shí)現(xiàn)擴(kuò)散硅壓力傳感器

            作者: 時(shí)間:2011-09-13 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            在寬溫度范圍內(nèi)實(shí)測(cè)校準(zhǔn)后的有效抑制了溫度變化對(duì)其產(chǎn)生的影響。如圖7所示的多只標(biāo)準(zhǔn)輸出的寬溫度校準(zhǔn)數(shù)據(jù)曲線:不難看出,在寬溫度工作環(huán)境下采用此法校準(zhǔn)的的讀出溫度誤差約為1%一2%FS,達(dá)到寬溫度的高精度測(cè)量要求,且通過(guò)多通道的通訊接口進(jìn)行校準(zhǔn)的方法與批量制造技術(shù)兼容,制造車(chē)用傳感器的高性?xún)r(jià)比的要求。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/161497.htm

              

            圖7多傳感器寬溫度校準(zhǔn)數(shù)據(jù)曲線

              圖7多傳感器寬溫度校準(zhǔn)數(shù)據(jù)曲線

              3綜合封裝與結(jié)論

              將傳感器與電路板封裝在一個(gè)直徑23mm高27.5mm的不銹鋼金屬殼體內(nèi)并且在傳感器的一端使用接插件的方式作為連接,方便測(cè)試及維護(hù)。總體封裝后如圖8所示。

              

            圖8總體封裝外觀圖

              圖8總體封裝外觀圖

              該硅壓阻汽車(chē)傳感器在技術(shù)、封裝技術(shù)與信息技術(shù)的結(jié)合下成為一個(gè)具備高性?xún)r(jià)比的實(shí)用化產(chǎn)品。是當(dāng)代先進(jìn)技術(shù)的結(jié)合,值得重視其發(fā)展。


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