IBM、特許半導體、英飛凌科技和三星近日聯(lián)合推出四方合作采用45納米低功耗工藝制造的首批芯片，并開始供應設計套件。關鍵設計元素的早期硅化，加上首批設計套件，能夠讓設計者率先演進至這個由行業(yè)領先的CMOS工藝研發(fā)聯(lián)盟研制的最新工藝。首批設計套件是四大公司聯(lián)合打造的，現(xiàn)已開始供貨。 　　  

　　這批首次采用45納米工藝制造的面向下一代通信系統(tǒng)的工作電路，擁有成熟的硅性能，運用了聯(lián)盟伙伴聯(lián)合開發(fā)的工藝。這批芯片在聯(lián)合開發(fā)團隊的駐地——IBM設在紐約州East Fishkill的300毫米晶圓工廠生產。已成功通過驗證的功能塊，有英飛凌提供的標準庫元件、輸入/輸出元件，還有聯(lián)盟開發(fā)的嵌入式存儲器。英飛凌已在首批300毫米晶圓上實現(xiàn)了特殊電路，以測試這個復雜的工藝，并取得產品架構互動方面的初步經(jīng)驗。 　　  

　　首批設計套件融合了四方的設計專長，能夠幫助客戶更早轉換至新的工藝，同時繼續(xù)推動單設計、多晶圓廠制造能力，從而最有效地發(fā)揮他們的設計優(yōu)勢，并最終為消費者帶來實實在在的利益
。45納米低功耗工藝，預期將于2007年底在特許半導體 、IBM和三星的300毫米晶圓廠安裝并得到全面鑒定。 　  

　　“首批45納米產品的速度、創(chuàng)新性和完備性，充分展示了四大公司之間的合作力量，能夠為客戶帶來更高的價值。我們的初期硬件測試結果顯示，45納米結點器件的性能，至少比65納米結點器件高出30%。產品開發(fā)人員可以充滿信心地利用該設計工藝，”IBM半導體研發(fā)部副總裁兼聯(lián)合開發(fā)聯(lián)盟主管Lisa Su說，“憑借這個由行業(yè)領袖組成的聯(lián)盟在世界各地的優(yōu)良研發(fā)資源和大量的知識資產，我們能夠比單兵作戰(zhàn)更快、更有效地向客戶和市場推出新的制造工藝和設計?？蛻艨色@得的另一個好處是靈活性——他們可以對這項工藝進行評估，因為GDSII具有廣泛的兼容性?！?

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