基于峰值控制的IGBT串聯(lián)均壓技術
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圖3為實驗電路，三相交流電源經(jīng)隔離變壓器、不控整流器得到0～1 kV可調(diào)直流電源Udc。Cd1，Cd2為濾波電容，Rd1，Rd2為Cd1，Cd2放電電阻。電路采用兩個IGBT串聯(lián)模塊。一個模塊做串聯(lián)開關管V1，V2，另一個模塊始終關斷。利用其反并聯(lián)二極管形成續(xù)流回路。驅(qū)動脈沖頻率100 Hz，占空比0．01，由TMS320F28335發(fā)出，經(jīng)驅(qū)動電路控制IGBT。驅(qū)動芯片為M57962L。Z1，Z2為1N5378B，1N5363B串聯(lián)構成。均壓電路參數(shù)：Z1為100 V，Z2為330 V；C=2．2 nF；R1=24 Ω，R2=1．5 kΩ。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/159275.htm
圖4為無均壓電路時串聯(lián)IGBT uCE波形。可見，在T1階段，由于關斷延時和關斷速率不同，造成串聯(lián)IGBT的uCE不均壓。在T2階段，由于串聯(lián)IGBT拖尾電流不等，造成串聯(lián)IGBT不均壓。加入均壓電路后，如圖5b所示，在第1個箝位點實現(xiàn)了uCE波形兩階段的電壓變化率控制；在第2個箝位點實現(xiàn)了峰值控制。均壓電路對拖尾電流引起的不均壓和關斷穩(wěn)態(tài)不均壓都有顯著控制效果。驗證了穩(wěn)壓管箝位峰值控制均壓原理的有效性。
當串聯(lián)單個IGBT承受電壓較高時，電路中穩(wěn)壓二極管需串聯(lián)。由于穩(wěn)壓二極管增多導致可靠性降低，其在高壓大功率場合的使用受到限制。
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