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            基于峰值控制的IGBT串聯(lián)均壓技術(shù)

            作者: 時間:2013-08-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            摘要:(IGBT)串聯(lián)應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)是控制。技術(shù)是保證串聯(lián)運行中每個IGBT的集射極電壓都不超過安全極限的有效技術(shù)。在介紹IGBT工作特性的基礎(chǔ)上,對串聯(lián)IGBT關(guān)斷過程不同動態(tài)時段內(nèi)的控制目標進行了分析,為設(shè)計不帶RC緩沖回路的方法提供了理論基礎(chǔ)。綜合各階段控制要點,采用基于穩(wěn)壓管箝位的方法,在低壓實驗中實現(xiàn)了有效的串聯(lián)均壓,驗證了理論分析的正確性。最后,針對該方法在高壓應(yīng)用時的缺點,提出了一種新的方法,并通過仿真驗證了該方法均壓控制的有效性。
            關(guān)鍵詞:;均壓;峰值控制

            1 引言
            隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,高壓大功率設(shè)備對IGBT的耐壓等級提出更高要求,故IGBT串聯(lián)技術(shù)成為研究熱點之一。IGBT串聯(lián)應(yīng)用的關(guān)鍵問題是實現(xiàn)均壓。在眾多IGBT串聯(lián)均壓技術(shù)中,最簡單、可靠的方法是并聯(lián)RC緩沖回路。但在高壓場合,考慮到損耗、體積及造價等因素,無RC緩沖回路的均壓方法更實用。此外,基于電壓軌跡控制和門極信號延時調(diào)整等有源方法,因控制電路過于復(fù)雜,使用場合受到限制。故有必要基于IGBT特性及均壓控制的要點,選擇更有效的均壓方法。
            在此首先分析IGBT各階段均壓控制的目標,采用穩(wěn)壓管箝位的峰值控制技術(shù),在低壓實驗中驗證了該均壓原理的有效性。然后針對該技術(shù)在高壓場合應(yīng)用時的缺點,提出一種新的峰值控制方法,并通過仿真驗證了該方法的有效性。

            2 IGBT串聯(lián)均壓控制分析
            作為IGBT的主要特性,輸出特性描述的是以門極電壓uGE為參考變量時,集電極電流iC與集射極間電壓uCE的關(guān)系。輸出特性分為4個區(qū)域:飽和區(qū)、有源區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)。IGBT的動態(tài)開關(guān)過程,主要是在截止區(qū)和飽和區(qū)間來回轉(zhuǎn)換,而在器件的轉(zhuǎn)換過程中經(jīng)過有源區(qū)。
            IGBT器件通常有4種工作狀態(tài):關(guān)斷瞬態(tài)、關(guān)斷穩(wěn)態(tài)、開通瞬態(tài)、開通穩(wěn)態(tài)。因IGBT不均壓情況在關(guān)斷時比開通時更復(fù)雜,在此以關(guān)斷時的均壓控制為主要研究目標。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/159275.htm

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            按外電路和器件內(nèi)部參數(shù)不一致等因素對uCE不均壓的影響效果,可將串聯(lián)IGBT關(guān)斷不均壓過程分為關(guān)斷瞬間的T1(uCE上升部分)、T2(拖尾部分)和關(guān)斷穩(wěn)態(tài)(T2以后)三階段,如圖1所示。T1階段,主要是由外電路和器件內(nèi)部參數(shù)的差異引起串聯(lián)IGBT的uCE不均壓。此時IGBT工作在有源區(qū),可通過調(diào)節(jié)uGE對uCE進行控制;T2階段,引起串聯(lián)IGBT的uCE不均壓的主要因素是拖尾電流不同。此時,IGBT進入截止區(qū),uGE對拖尾電流無影響,由拖尾電流引起的uCE不均壓不受門極直接控制。關(guān)斷穩(wěn)態(tài)時,只有很小的漏電流流過IGBT,并聯(lián)合適的均壓電阻即可實現(xiàn)IGBT串聯(lián)運行。

            3 基于峰值控制的均壓方法
            IGBT均壓最直接的目的就是保證串聯(lián)運行中每個IGBT的uCE都不超過安全極限。所以,對電壓峰值進行控制是很重要、有效的技術(shù)路線。峰值控制不關(guān)心uCE的中間變化軌跡,只有當(dāng)uCE升至設(shè)定的電壓水平時,均壓控制才開始起作用。當(dāng)所有串聯(lián)IGBT的uCE峰值都被箝位在給定值之內(nèi),就實現(xiàn)了動態(tài)均壓的目的。
            3.1 穩(wěn)壓管箝位的峰值控制
            通過上述對串聯(lián)IGBT均壓階段特性的分析,綜合各階段均壓控制的特點,采用基于穩(wěn)壓管箝位的峰值控制方法實現(xiàn)IGBT串聯(lián)均壓,均壓電路如圖2a所示。該方法將串聯(lián)IGBT的關(guān)斷過程進行優(yōu)化,在T1階段,使uCE具有兩階段電壓變化率,如圖2b所示。第1階段電壓變化率較快,以降低損耗:第2階段電壓變化率下降,以降低電壓不均衡度,并為箝位電路贏得更多的響應(yīng)時間。通過調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)折點和峰值箝位點的值,在IGBT關(guān)斷過程的損耗與電壓均衡度之間做出折中。在T2階段,由拖尾電流的差異引起不均壓,通過峰值箝位電路,向門極注入電流,改變uGE,使IGBT進入有源區(qū),進而控制uCE電壓,達到均壓控制。在關(guān)斷穩(wěn)態(tài)時,均壓支路還起到均壓電阻的作用。

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