在芯片技術(shù)突飛猛進(jìn)的當(dāng)下，所有的芯片廠商都在不遺余力的改進(jìn)自身的產(chǎn)品工藝，臺(tái)積電已經(jīng)決定將16nmFinFET工藝的試產(chǎn)時(shí)間從2014年提前到2013年底，甚至還希望10nm的芯片能在2015年底用極紫外光刻技術(shù)制造。GlobalFoundries、三星電子這兩家代工廠也都已經(jīng)宣布很快就會(huì)上馬FinFET立體晶體管技術(shù)。

　　只要試產(chǎn)的良品率過(guò)關(guān)，臺(tái)積電量產(chǎn)16nm的計(jì)劃估計(jì)最早會(huì)在明年年中實(shí)現(xiàn)。臺(tái)積電首席技術(shù)官孫元成(JackSun)日前表示：“我們對(duì)16nmFinFET工藝在明年的黃金時(shí)代(量產(chǎn))充滿信心。”

　　據(jù)悉，16nm目前正在使用128MbSRAM進(jìn)行測(cè)試，核心電壓0.8V，I/O電壓1.8V，良品率較預(yù)期更高。標(biāo)準(zhǔn)單元、內(nèi)存單元等基礎(chǔ)性IP的準(zhǔn)備工作已經(jīng)完成，關(guān)鍵內(nèi)部模塊的測(cè)試在6月份也會(huì)開始。

　　實(shí)際上，臺(tái)積電此舉也并非冒進(jìn)。日前Imagination剛剛宣布和臺(tái)積電達(dá)成進(jìn)一步的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，PowerVR6系列移動(dòng)GPU未來(lái)會(huì)使用臺(tái)積電的16nmFinFET工藝生產(chǎn)，而幾乎同時(shí)，ARM和臺(tái)積電也聯(lián)合宣布，64-bitARMv8架構(gòu)的Cortex-A57芯片已經(jīng)成功完成了第一次流片，所用工藝正好也是臺(tái)積電的16nmFinFET。這些合作顯然給了臺(tái)積電的工藝進(jìn)步帶來(lái)了動(dòng)力。

　　臺(tái)積電估計(jì)，64-bitARMv8核心在16nm工藝上的性能將比28nm32-bitARMA9高出多達(dá)90%，而相比之下20nmA15核心只能提速大約40%。

　　關(guān)于16nm和20nm兩種制成周期相靠太近的問題，臺(tái)積電的官方說(shuō)法是等到2017年的時(shí)候，臺(tái)積電20nm芯片的產(chǎn)量就會(huì)追上28nm。但有分析人士認(rèn)為，20nm給芯片廠商帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)有限，所以臺(tái)積電很可能只會(huì)將其作為一種過(guò)渡工藝。