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      一種用于CIS的快速低噪聲CMOS緩沖器

      作者:楊潔,李梓鈺 時間:2012-11-22 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

        摘要:基于TSMC 0.13μm 工藝,設計了一種用于圖像傳感器()的快速低噪聲。該的面積相對較低,輸出級采用改進式AB類輸出級,不僅保證了建立速度,而且還能抑制由于電路結構不對稱而帶來的噪聲。采用調(diào)零電阻補償保證不同corner下的穩(wěn)定性。仿真結果表明:在室溫tt工藝下功耗為10μW,建立時間為8ns,低頻輸出噪聲100dB,適用在各種高速度低功耗場合。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/139230.htm

        引言

        在( Image Sensor)中,由Pixel產(chǎn)生的模擬信號通過CDS采樣儲存。由于CDS直接驅動PGA需要很長的工藝線,所以導致等效負載電容會很大,增加了驅動的難度。因此,中間加一個(Buffer驅動PGA,從而抑制、消除模擬信號中的噪聲。針對此要求,本文設計了一個低功耗低面積的Buffer?! ?/p>

       

        電路結構分析

        Class AB輸出級

        輸出級采用了AB類推挽輸出,如圖1所示,M6,M7,M8組成一個反相級兼確定輸出級的靜態(tài)電流的結構。M12,M11分別為AB類輸出級的充電管和放電管。這種電路既有較小的靜態(tài)電流,又有較大的驅動能力,由于整個輸出級的工作電流由M8的電流決定,因此一旦偏置方式確定,M8的電流即可決定,只要知道圖3中各MOS管的寬長比,就可以確定各管子的工作電流,這些管子的工作電流分別表示為:
             
             
        其中(2),(3)中的S=W/L,由于輸出級的電流要考慮負載能力,S11,S12的值要遠遠大于其他器件的S值,當輸入級的輸出信號Vout1加到M6和M12時,電路具備AB類推挽工作模式,例如,當Vout1增大時,M6和M12的電流減少,而M6的電流減少導致M8的電流等量增加(因為M8的電流恒定與Vout1無關),由于M9與M7組成電流源,所以M9的電流也將以S9/S7的比例增加,,從而使得M10電流增加,M11按S11/S12的比例增加,于是M11的電流增加了。結果在Vout1正向擺動時,M12的電流減少,M11的電流增加,起到了推挽的作用。反之,若Vout1減少即負向擺動時,M12的電流增加,M11的電流減少,兩個輸出管的電流增量可以表示為:
             
        (4)式表達了電路對負載的驅動能力,(5)式則說明電路能吸收負載電流的能力。

        但該電路有個最大的缺點,由于M7,M8,M9組成的反相級結構不對稱,所以噪聲比較大。



      關鍵詞: CIS 緩沖器 CMOS 201211

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