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            如何選擇恰當?shù)某挽o態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器

            作者: 時間:2012-06-27 來源:電子產品世界 收藏

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/133988.htm


              進入壓降區(qū)時的接地電流

              另一項很重要但又常常被輕視的參數(shù)就是在進入壓降條件下的接地電流消耗。在鋰離子電池或鋰聚合物電池供電的產品中,常見使用LDO來高能效地對電源穩(wěn)壓,產生3.3 V或3.1 V輸出電壓。然而,隨著電池放電,電池電壓衰減,LDO的輸入電壓VIN可能接近輸出電壓VOUT,到達LDO進入壓降區(qū)的那個點。在這種情況下,市場上的大多數(shù)超低IQ LDO將開始消耗明顯高得多的接地電流,超出數(shù)據表中標出的值。圖10所示的不同輸入電壓條件下的IGND關系圖可以說明這一點?! ?/p>

               如圖10所示,在壓降區(qū),LDO開始消耗多達100 μA電流。為了在功率敏感型應用中解決這個問題,建議增加帶可調節(jié)遲滯特性的極低功率監(jiān)控器,用于在負載移除后恢復電池電壓。在某些遲滯特性不充足的情況下,帶閂鎖輸出的其它電壓檢測器可能更適合。但這將導致需要使用按鈕或來自電池充電控制器的信息來清除閂鎖。

              半導體最新世代的超低IQ LDO整合了集成壓降條件檢測器,可以防止低輸入電壓條件下接地電流上升。集成了這種理念的器件包括NCP702和NCP4681等。

              小結:

              傳統(tǒng)上,改善LDO的電流消耗表示要損及動態(tài)性能。新的工藝技術及設計技巧帶來像半導體提供的系列超低靜態(tài)電流LDO能夠更好地結合低靜態(tài)電流和動態(tài)性能。本文指出了設計人員在選擇LDO時應該顧及的一些因素,包括密切注意LDO數(shù)據表,理解器件的具體工作特性,進行根據應用的關鍵要求選擇適合的方案?! ?/p>

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