3) 自適應(yīng)偏置LDO穩(wěn)壓器
　　為了同時(shí)提供極佳的動態(tài)參數(shù)及超低IQ，最新代的安森美半導(dǎo)體LDO應(yīng)用了稱作“自適應(yīng)接地電流”的技術(shù)。這些穩(wěn)壓器使用特殊技巧來在某種輸出電流電平提升接地電流，而不會損及輕載能效。正因?yàn)榇?，終端應(yīng)用可以提供良好的負(fù)載/線路瞬態(tài)、PSRR及輸出噪聲性能的優(yōu)勢。帶自適應(yīng)偏置技術(shù)的IC有如NCP4587/NCP4589及NCP702，IQ分別為1.5 μA和9 μA。NCP702還在噪聲方面進(jìn)行了額外優(yōu)化，100 Hz至100 kHz噪聲帶寬時(shí)的典型噪聲僅為11.5 μVRMS。它非常適合于為要求長電池使用時(shí)間及小方案尺寸環(huán)境中的敏感模擬及射頻電路供電?！　?/p>本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/133988.htm

　　三類超低IQ LDO動態(tài)性能比較

　　圖4顯示了上述三類超低IQ LDO的接地電流與輸出電流對比圖。比較中使用的所有LDO都具有在1 μA至1.5 μA之間的極相近靜態(tài)電流規(guī)格。它們的接地電流與輸出電流的相關(guān)關(guān)系大為不同。因此，這些穩(wěn)壓器的動態(tài)性能也差異極大。NCP4587作為自適應(yīng)偏置LDO，其負(fù)載瞬態(tài)性能優(yōu)勢很明顯。三款器件的瞬態(tài)幅度比較如圖5所示。　　

　　

　　

 　　AE引腳功能

　　另一值得提及可以用于改善超低IQ LDO動態(tài)參數(shù)的特性通常稱作Auto-ECO(AE)功能(見圖6)。將額外的AE引腳設(shè)為邏輯低電平時(shí)，用戶可以將LDO穩(wěn)壓器配置為自適應(yīng)接地電流超低IQ LDO。將AE引腳拉至高電平時(shí)，低輸出電流時(shí)的接地電流消耗上升至約40 μA，實(shí)質(zhì)提升從極輕載到高負(fù)載條件下的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。在負(fù)載電流較大時(shí)，兩種工作模式下IGND大致相等，動態(tài)性能基本沒有差別。圖7顯示了AE引腳狀態(tài)影響LDO穩(wěn)壓器的接地電流消耗?！　?/p>