羅姆開發(fā)出超低IR肖特基勢壘二極管
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<規(guī)格>
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/133946.htm
<術(shù)語解說>
?肖特基勢壘二極管(Schottky-Barrier Diode：SBD)
使金屬和半導體接觸從而形成肖特基結(jié)，利用其可得到整流性(二極管特性)的二極管。具有“正向壓降少、開關(guān)速度快”的特點。主要用于開關(guān)電源等。
?快速恢復二極管(Fast Recovery Diode： FRD)
正向施加的電壓向反向切換時，反向電流瞬間流過。這種電流到零之間的時間―即反向恢復時間快的一種二極管。
?VF ( Forward Voltage)
是指正向電流經(jīng)過時二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小功耗越少。
?IR(Reverse Current)
是指施加反向電壓時發(fā)生的反向電流。數(shù)值越小功耗越少。
?熱失控
反向損耗超過散熱，損耗進一步增加，產(chǎn)品溫度呈指數(shù)級上升的狀態(tài)。
模擬電路相關(guān)文章:模擬電路基礎(chǔ)
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