羅姆開發(fā)出超低IR肖特基勢壘二極管
<特點(diǎn)>
本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/133946.htm 1) 與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,損耗約降低40%
與一般用于車載的FRD相比,VF降低約40%。有助于降低功耗?! ?/p>
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201206/859042d046b086d0b71f1daec92b2205.jpg)
2) 小型封裝有助于節(jié)省空間
與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,可實(shí)現(xiàn)小一號尺寸的封裝設(shè)計。
3) 高溫環(huán)境下亦無熱失控
實(shí)現(xiàn)了超低IR,因此Ta=150℃也不會發(fā)生熱失控,可在車載等高溫環(huán)境下使用?! ?/p>
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201206/9f8a927f140073c828101a4032b353af.jpg)
模擬電路相關(guān)文章:模擬電路基礎(chǔ)
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