晶圓代工廠臺積電與聯(lián)電同步積極擴廠，12寸晶圓產能為兩公司擴產重點;晶圓代工業(yè)軍備競賽再度展開。

　　盡管半導體產業(yè)今年成長恐將趨緩，全球半導體業(yè)產值將僅較去年小幅成長2%至3%，不過，臺積電與聯(lián)電擴產腳步絲毫不敢松懈。

　　繼臺積電于4月9日舉行南科晶圓14廠第5期新建工程動土典禮后，聯(lián)電也將跟進于5月24日舉行南科12A廠第5期及第6期廠房動土典禮。

　　為滿足客戶28奈米制程強勁需求，以及加速20奈米制程開發(fā)時程，臺積電決定將今年資本支出自原本預估的60億美元，大幅調高到80億至85億美元，調幅達33%至41%。

　　聯(lián)電今年資本支出也將達20億美元規(guī)模。

　　臺積電估計，今年總產能將達1483.4萬片8寸約當晶圓規(guī)模，將較去年增加12%;其中，12寸晶圓產能將較去年增加17%，預計今年底12寸晶圓產能比重將達58%，躍居臺積電主力。

　　臺積電預計，中科15廠于4月量產，年底將有5萬片28奈米制程產能，將是有史以來量產速度最快的超大晶圓廠，明年第1季將可滿足客戶對28奈米制程產能的需求。

　　聯(lián)電雖然上半年產能將僅微幅增加，不過，隨著新產能陸續(xù)開出，今年總產能將可較去年增加4%，其中，12寸晶圓產能將較去年增加達8%。

　　為更長遠發(fā)展規(guī)劃，聯(lián)電已向南科管理局談妥12A廠第7期及第8期廠房用地，將在第5期及第6期廠房興建完成后，再視市場狀況決定興建時程。

　　12寸晶圓產能同為臺積電與聯(lián)電擴產重點，不過，在積極擴充先進制程產能的同時，兩家公司也一致努力開發(fā)特殊制程技術。如臺積電今年即計劃斥資2億美元開發(fā)嵌入式快閃記憶體等特殊制程技術。

　　為因應近年龐大資本支出資金需求，臺積電與聯(lián)電也同時計劃舉債籌資;其中，聯(lián)電計劃發(fā)行新臺幣100億元無擔保普通公司債，75億元額度為5年期公司債，25億元為7年期公司債。

　　臺積電也透露，將以發(fā)行公司債為籌資優(yōu)先考量。

　　除了臺積電與聯(lián)電外，中國大陸晶圓代工廠中芯國際也積極展開擴產，日前宣布將合資成立新公司，在北京12寸晶圓廠進行第2期廠房擴建計劃，新廠月產能約7萬片規(guī)模，預期晶圓代工業(yè)競爭態(tài)勢仍將激烈。