應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的場截止型(Field Stop) 絕緣門雙極結晶體管(IGBT)，目標應用為工業(yè)電機控制及消費類產品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應用于高性能電源轉換方案，適合多種要求嚴格的應用，包括電磁爐、電飯煲及其它廚房小家電應用。

　　能源價格不斷上升及圍繞碳排放的環(huán)保因素，持續(xù)帶動更高性能功率分立元器件的需求，尤其是在大功率電磁感應及變頻器的應用。這些新的額定電壓1,200伏(V)的IGBT采用深溝槽技術及先進的晶圓薄化及加工處理技術，提供極低的關閉損耗，同時在導通期間維持低通態(tài)電壓，因而提供更低的開關損耗及導電損耗。這些器件提供15安培(A)、20 A及25 A額定電流等不同選擇，且與極低正向壓降及軟恢復快速整流器組合封裝，符合客戶對高能效的嚴格要求，同時為他們提供高空間利用率的完整方案。

　　安森美半導體功率分立產品分部高級總監(jiān)兼總經理John Trice說：“安森美半導體為汽車應用提供高性能及可靠的IGBT已超過十年，一直是市場上領先的供應商。新的1,200 V系列的高性能IGBT充分利用了我們在高壓溝槽型技術及晶圓工藝技術的知識產權及能力，同時為多種終端市場的客戶提供高質量及強固的方案，用于他們講究高能效的電源應用。”