除了ESD鉗位屏幕截圖，另一種方法是測(cè)量傳輸線路脈沖(TLP)來(lái)評(píng)估ESD鉗位性能。由于ESD事件是一個(gè)很短的瞬態(tài)脈沖，TLP可以測(cè)量電流與電壓(I-V)數(shù)據(jù)，其中每個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)都是從短方脈沖獲得的。TLP I-V曲線和參數(shù)可以用來(lái)比較不同TVS器件的屬性，也可用于預(yù)測(cè)電路的ESD鉗位性能。

　　圖3：典型TLP I-V曲線圖

　　安森美半導(dǎo)體提供的高速接口ESD保護(hù)保護(hù)器件陣容有兩種類型。第一類最容易實(shí)現(xiàn)，被稱為傳統(tǒng)設(shè)計(jì)保護(hù)。在這種類型設(shè)計(jì)中，信號(hào)線在器件下運(yùn)行。這些器件通常是電容最低的產(chǎn)品。

　　另一類是采用PicoGuard® XS技術(shù)的產(chǎn)品。這種類型設(shè)計(jì)使用阻抗匹配(Impedance Matched)電路，可保證100 Ω的阻抗，相當(dāng)于電容為零。這類設(shè)計(jì)無(wú)需并聯(lián)電感，有助于最大限度地減少封裝引起的ESD電壓尖峰。

　　圖4：傳統(tǒng)方法與PicoGuard® XS設(shè)計(jì)方法的對(duì)比

　　安森美半導(dǎo)體的保護(hù)和濾波解決方案均基于傳統(tǒng)硅芯片工藝技術(shù)。相比之下，其它類型的低成本無(wú)源解決方案使用的是陶瓷、鐵氧體和多層壓敏電阻(MLV)組合的材料。這類器件通常ESD鉗位性能較差。在某些情況下，傳遞給下游器件的能量可能比安森美半導(dǎo)體解決方案低一個(gè)量級(jí)。一些采用舊有技術(shù)的產(chǎn)品甚至可能在小量ESD沖擊后出現(xiàn)劣化并變得更糟。由于其材料性質(zhì)，一些無(wú)源器件往往表現(xiàn)出溫度的不一致性，從而降低了終端系統(tǒng)在標(biāo)準(zhǔn)消費(fèi)溫度和環(huán)境溫度范圍內(nèi)運(yùn)行的可靠性。