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            EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 新品快遞 > IR推出可靠的超高速1200 V IGBT

            IR推出可靠的超高速1200 V IGBT

            —— 可顯著降低開(kāi)關(guān)及傳導(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率
            作者: 時(shí)間:2011-09-06 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱) 近日推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽(yáng)能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 () 系列。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/123291.htm

              

             

              全新超高速 1200V 系列采用纖薄場(chǎng)截止溝道技術(shù),可顯著降低開(kāi)關(guān)及傳導(dǎo)損耗,從而在較高頻率下提升功率密度和效率。這些器件不僅為無(wú)需短路功能的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,如不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器、焊接等應(yīng)用,而且為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供10微秒短路功能,與其它產(chǎn)品相輔相成。

               亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“IR全新超高速1200V溝道系列具備多種性能優(yōu)勢(shì),有助于提升系統(tǒng)的效率;同時(shí)通過(guò)降低開(kāi)關(guān)的損耗及提高開(kāi)關(guān)頻率,減少散熱器的尺寸與磁元件的數(shù)量,從而降低整體系統(tǒng)的成本。”

              新系列包括電流介于 20A 和50A 之間的封裝器件,以及高達(dá) 150A 電流的裸片產(chǎn)品。其主要優(yōu)勢(shì)包括寬方形反向偏壓安全操作區(qū)(RBSOA)、正VCE(on)溫度系數(shù),以及用來(lái)降低功率耗散和提升功率密度的低VCE(on)。此外,新器件還可內(nèi)置/不內(nèi)置一個(gè)超高速軟恢復(fù)二極管。裸片更配備焊前金屬(SFM),以提高熱性能、可靠性及效率。

              產(chǎn)品規(guī)格

              



            關(guān)鍵詞: IR 晶圓 IGBT

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