臺積電作為全球最大的集成電路制造公司，其工藝進展情況關系到無數半導體企業(yè)的產品發(fā)布時間和計劃。但前段時間，臺積電兩位高管發(fā)表的聲明，備受關注的28nm工藝再次推遲。

　　臺積電CEO兼董事會主席張忠謀近日表示：“我們已經使用28nm工藝完成了89件不同產品的流片，每一個都按期實現。每次流片的首批硅片都擁有完整的功能，良品率也令人滿意……不過因為2011年的經濟形勢和市場需求前景軟化，28nm的投產所需時間比預期得更長。”

　　臺積電CFO、高級副總裁何麗梅的說法也很相似：“28nm的推遲并非是因為質量問題，流片情況良好。推遲主要是因為我們的客戶經濟軟化，并非在計劃之中。28nm工藝今年第四季度在晶圓總收入中貢獻的比例大約為1%。”

　　據了解，臺積電一共開發(fā)了四種不同用途的28nm工藝，CLN28HPHKMG面向高性能產品、CLN28HPMHKMG面向移動計算產品、CLN28HPLHKMG面向低漏電率低功耗產品、CLN28LPSION面向低成本產品。其中前三項技術將采用High-k金屬柵極技術，這項技術將有利于減少晶體管的漏電現象，降低芯片產品的功耗和發(fā)熱并有助于提升頻率。而代號為CLN28LPSION的低端產品則仍將采用傳統的氮氧化硅(SiON)電介質+多晶硅柵極進行制造，使之制造成本更加低廉。

　　雖然兩位高管均表示28nm技術良率令人滿意，但這一技術的一再推遲還是另眾多廠商如坐針氈。去年，由于40nm工藝的良率一直不能令人滿意，很多芯片廠商的毛利率和產品發(fā)布都受到了不同程度的影響，但愿這一情況不會在28nm工藝上重演，這對于參與流片的89個芯片產品以及持觀望態(tài)度的其他廠家來說非常重要。