全球半導(dǎo)體第一季產(chǎn)能利用率上升
—— 平均利用率上升至93.7%
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根據(jù)半導(dǎo)體協(xié)會(SIA)最新調(diào)查顯示，2011年第1季全球半導(dǎo)體產(chǎn)能平均利用率上攀93.7%，較2010年第4季的92.9%再度向上攀升，此外，就個別領(lǐng)域來看，絕大多數(shù)半導(dǎo)體元件產(chǎn)能利用率均超過90%。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/121112.htm與2010年第4季相較，產(chǎn)能利用率數(shù)據(jù)變動較大的領(lǐng)域則是在MOS類別里，包括了0.18微米、0.15微米和0.13微米等制程，此外，在晶圓代工領(lǐng)域的產(chǎn)能利用率數(shù)據(jù)變動也相對較高。
此外，2011年第1季8寸晶圓產(chǎn)能利用率達到89.6%，而12寸晶圓的產(chǎn)能利用率則高達97.0%。
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