臺灣代工巨頭臺積電首席執(zhí)行官表示，芯片設(shè)計廠商對28nm工藝產(chǎn)品的熱情度極高，比40nm工藝準備期同階段產(chǎn)品數(shù)量多三倍以上。

　　“智能手機和平板電腦是新的殺手級應(yīng)用，”臺積電歐洲區(qū)總裁MariaMarced說，“我們預(yù)見到28nm設(shè)計的爆發(fā)。我們流水線上已經(jīng)擁有89種產(chǎn)品定案(tape-out，準備流片的方案)。”Marced補充說。她表示臺積電目前擁有世界上90%的28nm產(chǎn)品預(yù)案。

　　同時該公司28nm硅已經(jīng)對部分客戶出貨，Marced說。“移動互聯(lián)網(wǎng)要求在同等性能情況下功耗要低得多。”臺積電將同時提供高K金屬柵級(HKMG)和傳統(tǒng)多晶硅工藝，而20nm產(chǎn)品預(yù)計在2012年下半年投產(chǎn)。

　　然而，臺積電不準備部署據(jù)說是移動設(shè)備的福音的FinFET技術(shù)，至少14nm節(jié)點之前不會。這一策略與英特爾不同，英特爾最近發(fā)布了名為三柵極技術(shù)的FinFET器件的應(yīng)用，使用該公司的1270工藝制程(即22nm工藝)。目前1270工藝準備下半年于英特爾亞利桑那州的F32工廠量產(chǎn)(參閱電子工程專輯報道：英特爾提前量產(chǎn)3D晶體管，進入22nm時代)。

　　這使得英特爾在工藝尺寸方面比臺積電領(lǐng)先了一年左右，并在FinFET器件的應(yīng)用方面領(lǐng)先更多。據(jù)報道FinFET器件在這些精微尺寸上與平面晶體管相比功耗表現(xiàn)更好。

　　Marced表示，由于英特爾是一家垂直集成化的企業(yè)，控制了從設(shè)計到制造到測試的各個環(huán)節(jié)，需要引入到FinFET器件的制造和測試技術(shù)都能比臺積電更快實現(xiàn)。“而臺積電是一家代工企業(yè)，由客戶提供產(chǎn)品設(shè)計，因此需要為FinFET器件準備好生態(tài)系統(tǒng)，這意味著包括設(shè)計工具，IP，設(shè)計套件等。對于我們，20nm仍將是平面技術(shù)。”

　　Marced認為臺積電2011年代工部門增長速度將超過整體代工產(chǎn)業(yè)的原因之一，是殺手級應(yīng)用智能手機和平板電腦的爆發(fā)性增長。臺積電的目標是2011年營收增長20%，而預(yù)計整體產(chǎn)業(yè)增長為15%。同時該公司估計整體半導(dǎo)體市場將僅僅增長2%。