繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術，預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產。

　　由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術，讓微影技術得以發(fā)展至2x奈米，不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已達光學極限，因此業(yè)界發(fā)展出采用13.5nm波長的EUV光源，僅浸潤式微影光源的14分之1。

　　目前包括英特爾(Intel)、臺積電、三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等半導體大廠皆已向設備廠艾斯摩爾(ASML)采購EUV機臺，投入EUV技術的研發(fā)。

　　Global Foundries資深研發(fā)副總Gregg Bartlett表示，Global Foundries不同于多數同業(yè)采購預產(pre-production)設備，而是直接采購量產型機臺，預計于2012年下半導入位于紐約的12寸廠中，預計2014~2015年間進入量產。

　　Global Foundries于6月初在臺灣宣布擴產計畫，目前興建中的紐約Fab 8原本預計2010下半年啟用，未來將增加40%廠房空間，每月產能由4.2萬片增加到6萬片，制程技術由28奈米延伸至22~20奈米，新產能將在 2012年上線，并于2013年開始量產。

　　Gregg Bartlett進一步指出，雖然浸潤式微影技術能夠將制程推進到22/20奈米，然而成本高且復雜度也高，因此需要其它的技術，而EUV就是最好的替代方案。

　　他也表示，Global Foundries是EUV LLC半導體產業(yè)聯盟的的初創(chuàng)成員之一，曾參與多項EUV研發(fā)的重要里程碑，其中包括首款EUV測試芯片的生產，因此Global Foundries將繼續(xù)維持領先地位，推動整個產業(yè)走向EUV的量產。”

　　Global Foundries主要競爭對手之一的臺積電于2010年2月宣布，臺積電將取得ASML的EUV微影設備，并安裝在竹科12寸廠Fab 12超大晶圓廠(GigaFab)中，用以發(fā)展新世代的制程技術。

　　EUV技術由于設備投資金額高昂，加上所需的光罩成本亦相當高昂，然而浸潤式雙重曝光(double patterning)復雜度大增，因此目前在22奈米制程，哪里個技術會是主流尚無定論，而臺積電也同時在發(fā)展無光罩(maskless)的電子束 (E-beam)技術，因此也讓發(fā)展較晚的電子束技術，扭轉情勢成為22奈米以下制程的候選技術之一。

　　然而隨ASML的6臺EUV設備即將陸續(xù)出貨，屆時其量產成果將成為業(yè)界的重要指標，EUV是否能成為主流技術，未來1~2年將是重要關鍵。